|
Kategorie: Seminární práce |
Tento dokument chci!
Tato diplomová práce se zabývá návrhem a realizací automatického měřiče
vysokofrekvenčních impedancí. Přístroj pracuje v rozsahu KV až UKV pásem (3 MHz -
3 GHz) podle možností připojeného externího generátoru. Princip spočívá na můstkové
metodě měření tří amplitud harmonických napětí, pomocí nichž je možné vypočítat
výslednou hledanou impedanci podle algebraických rovnic. Výhodou této metody je
možnost výpočtu obou složek měřené impedance, tj. její reálnou a imaginární část.
Na základě této metody měření je navrženo zapojení vyhodnocovacích obvodů, které
zpracovávají naměřené amplitudy z měřicího můstku a provádějí výpočet složek
impedance. Jako ovládací uživatelská periferie slouží počítačová aplikace, která
komunikuje s přístrojem pomocí USB rozhraní a vykonává grafickou interpretaci
naměřených hodnot. Výsledkem celého projektu je kompaktní přistroj ovládaný z prostředí
OS Windows s grafickým výstupem.
Autor: JAN STUDENÝ
Strana 23 z 65
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
10 Testovací obvod pro měření vlastnosti diody.
( převzato [15] )
.Jan STUDENÝ Automatický měřič vf.
Schottkyho dioda, která zde byla zvolena nese označení BAT 62. impedancí
- -
4.
Problém řeší Schottkyho diody, které využívají jen majoritních nosičů náboje. Její katalogový popis přímo uvádí
parametry diody při zapojení obvodu pro funkci diodového detektoru. Nejpřesnější odpory, které
lze běžně zakoupit jsou odpory tolerancí typických řadách E6, E12 ani E24
se ale nevyskytuje hodnota proto nutné zapojit namísto jednoho odporu dva 100
odpory paralelně.
Dalším důležitým požadavkem správná volba detekční diody. obr.
Obr. Již výroby je
předurčena pro detekci vysokofrekvenčních signálů.
Výše zmíněné parametry předurčují využití Schottkyho diody extrémně rychlých
spínacích obvodech výpočetní technice, radarových zařízeních usměrnění malých
napětí kmitočtem desítek GHz. 4. 4.3 Volba stěžejních měřicích prvků
Základním požadavkem korektní měření přesně definovaná kmitočtově stálá
hodnota rezistance všech tří referenčních odporů můstku. 4. výhodné, protože tak může být snížena případná parazitní
indukčnost použitých odporů.
Obr.11 je
závislost detekovaného napětí vstupním napětí při změnách hodnoty odporu RL,
podle zapojení obr.
Obr.8 Náhradní schéma reálného rezistoru. nutné použít součástky pro plošnou montáž SMD,
protože právě parazitní indukčnost kapacita tak výrazně potlačují. Měření bylo provedeno kmitočtu vstupního napětí
900 MHz. Hodnota prahového napětí bývá okolo 0,25 V.
To znamená, oproti diodám přechodem nedochází propustném směru
k hromadění nadbytečných minoritních nosičů vzniku difúzní kapacity.10. 4. 4. Při vypínání
pak nedochází závěrnému zotavení diody. Spínací doby jsou proto několik řádů kratší
(okolo pikosekund) šířka kmitočtového pásma několik řádů větší než PN
(stovky GHz).9 Schématická značka Schottkyho diody. celého spektra
různých typů nutné zvolit takovou diodu, která bude schopna pracovat vysokých
kmitočtech relativně malými proudy
