Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 4 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
....9: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD DVĚMA HARMONICKÝMI SIGNÁLY................1: STEJNOSMĚRNÝ NAPĚŤOVÝ DĚLIČ...................... 2. . .............................. 4...................... 26 OBR. 11 OBR. 40 OBR....................................... ........7: PRACOVNÍ CHARAKTERISTIKA ZESILOVAČE.... 25 OBR....15: NASTAVENÍ TYPU ANALÝZY SWEEP............. 34 OBR....3: KMITOČTOVÉ CHARAKTERISTIKY PŘENOSU (OTEVŘENÉ SMYČKY) OZ. 38 OBR.......... 28 OBR...1: AKTIVNÍ DOLNÍ PROPUST DRUHÉHO ŘÁDU.. 6...18: OVĚŘENÍ PLATNOSTI THÉVENINOVA NORTONOVA TEORÉMU... 8 OBR............. 20 OBR.............. 4........7: MODULOVÁ FÁZOVÁ CHARAKTERISTIKA OBVODU APF.................................. 25 OBR....2: TRANZISTOROVÝ STUPEŇ ZAPOJENÍ SE............................................................1: ZAPOJENÍ OBVODU PRO SIMULACI OBVODOVÝCH FUNKCÍ OZ........17: NAPĚTÍ PROUD ZÁTĚŽE JAKO FUNKCE VELIKOSTI RZ......2: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY PRACOVNÍHO BODU. 3...... 2..................... 34 OBR. 5..... 12 OBR. ...........4: MODULOVÁ KMITOČTOVÁ CHARAKTERISTIKA VSTUPNÍ IMPEDANCE OZ........ 5......... 4.......... 4.............. ............7: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY ČASOVÉ OBLASTI................................14: VARIANTA NALEZENÍ VNITŘNÍHO ODPORU NÁHRADNÍHO OBVODU (BIAS POINT)............ 6.........9: KMITOČTOVÁ ZÁVISLOST MODULU FÁZE VÝSTUPNÍ IMPEDANCE ZESILOVAČE..........5: PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKA TRANZISTORU F(UBE).2: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MUN)..............4: JEDNODUCHÝ PROUDOVÝ DĚLIČ ............. 39 OBR............. 5........ 6.. 20 OBR.. 2............................. 24 OBR.............................................5: INVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ OZ.... 6.. 4................ 2.......... 4........... 26 OBR...... 6.... 29 OBR.....2: NASTAVENÍ KMITOČTOVÉHO ROZMÍTÁNÍ ANALÝZY..........12: THÉVENINŮV NORTONŮV TEORÉM REZISTIVNÍM OBVODĚ.. . 4....................10: SUPERPOZICE DVOU STŘÍDAVÝCH SIGNÁLŮ.............. 16 OBR... 4.................. 4.........8: AKTIVNÍ PÁSMOVÁ PROPUST ŘÁDU OZ...6: SUPERPOZICE HARMONICKÉHO SIGNÁLU STEJNOSMĚRNOU SLOŽKU...... 5..... 24 OBR.............. 28 OBR............... 5... ...................35 OBR. ........ 5................ 36 OBR......................Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně Seznam obrázků OBR. 3........ 6................................... 4.... 4...... 4....3: ZESILOVACÍ STUPEŇ TRANZISTOREM ZAPOJENÍ SE.. 4.........1: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MSP).....................20: NÁHRADA REZISTIVNÍHO OBVODU NĚKOLIKA ZDROJI...............................8: CHARAKTERISTIKA VSTUP-VÝSTUP INVERTUJÍCÍHO ZESILOVAČE OZ. 2. 6................................................6: KROKOVÁNÍ HODNOTY ODPORU TÍM ZESÍLENÍ PARAMETRICKÉ ANALÝZE........ .. 34 OBR.... 23 OBR....... 37 OBR.......................... 30 OBR......4: LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ MODEL ZESILOVACÍHO STUPNĚ SE............. 27 OBR................ 9 OBR.....................7: ZADÁNÍ HODNOTY ODPORU PRO PARAMETRICKOU ANALÝZU... 2. ... 40 .......... 4..................19: OVĚŘENÍ PLATNOSTI PRINCIPU KOMPENZACE (SUBSTITUCE)..... ........................................ 5.................................1: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ β..... 33 OBR.........6: JEDNODUCHÝ ZESILOVAČ ZAPOJENÍ SE..... 18 OBR..... 27 OBR..3: VÝSTUPNÍ CHARAKTERISTIKY TRANZISTORU. 5... 24 OBR................. ..... 32 OBR..................16: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (DC SWEEP)..........6: ZPŮSOB SESTAVENÍ MATICE SOUSTAVY MMUN....................................................3: URČENÍ NAPĚTÍ, PROUDŮ VÝKONŮ....4: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKY.............. 14 OBR........ 4................ 2......................5: AKTIVNÍ OBVOD OZ.............................. 22 OBR.................8: VÝSLEDEK ČASOVÉ ANALÝZY........................ 3.............. 5.....8: MODULOVÉ CHARAKTERISTIKY ZESILOVAČE PRO TŘI RŮZNÉ R2........ 4....... 21 OBR......................... 4................................ 37 OBR................................ 31 OBR.............................. 10 OBR....... 2..2: ZÁVISLOST PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE F(IC)....................... 4........3: JEDNOSTUPŇOVÝ TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ KAPACITNÍ VAZBOU... 10 OBR......13: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (BIAS POINT)......... 17 OBR...................... 6... .... 4............... 19 OBR........................................ 32 OBR. 38 OBR... 23 OBR............................. 4.... 14 OBR......................... 23 OBR..5: DEMONSTRACE PRINCIPU SUPERPOZICE REZISTIVNÍM OBVODĚ......11: NÁHRADNÍ OBVODY REÁLNÉHO ZDROJE..