Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 4 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
..3: KMITOČTOVÉ CHARAKTERISTIKY PŘENOSU (OTEVŘENÉ SMYČKY) OZ.7: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY ČASOVÉ OBLASTI...9: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD DVĚMA HARMONICKÝMI SIGNÁLY.. 6................ 28 OBR.. 2.............. 24 OBR......................... 6....7: MODULOVÁ FÁZOVÁ CHARAKTERISTIKA OBVODU APF........................... 6. 4......... ...................... 5..... 21 OBR.6: SUPERPOZICE HARMONICKÉHO SIGNÁLU STEJNOSMĚRNOU SLOŽKU......................... 4......... 10 OBR.. 5...........................17: NAPĚTÍ PROUD ZÁTĚŽE JAKO FUNKCE VELIKOSTI RZ.....3: ZESILOVACÍ STUPEŇ TRANZISTOREM ZAPOJENÍ SE............................... 4.2: NASTAVENÍ KMITOČTOVÉHO ROZMÍTÁNÍ ANALÝZY. 30 OBR..................... 2..............5: AKTIVNÍ OBVOD OZ......... 3.............4: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKY..............13: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (BIAS POINT)..... .............. 24 OBR.....................2: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MUN)........................1: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ β... 40 ................... 25 OBR......... 39 OBR...................................................................8: MODULOVÉ CHARAKTERISTIKY ZESILOVAČE PRO TŘI RŮZNÉ R2........... 5.................................. 31 OBR................ 38 OBR.........7: PRACOVNÍ CHARAKTERISTIKA ZESILOVAČE..3: VÝSTUPNÍ CHARAKTERISTIKY TRANZISTORU.8: CHARAKTERISTIKA VSTUP-VÝSTUP INVERTUJÍCÍHO ZESILOVAČE OZ....................... 33 OBR..... ..................14: VARIANTA NALEZENÍ VNITŘNÍHO ODPORU NÁHRADNÍHO OBVODU (BIAS POINT).. 34 OBR... 27 OBR..10: SUPERPOZICE DVOU STŘÍDAVÝCH SIGNÁLŮ.................................... ..........2: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY PRACOVNÍHO BODU.......... ....... 2..................4: JEDNODUCHÝ PROUDOVÝ DĚLIČ ..............................18: OVĚŘENÍ PLATNOSTI THÉVENINOVA NORTONOVA TEORÉMU.. 5................ 4........ 4........ 37 OBR... ....... 14 OBR...1: ZAPOJENÍ OBVODU PRO SIMULACI OBVODOVÝCH FUNKCÍ OZ.... ............................... 14 OBR.......... 4.... 18 OBR..............6: ZPŮSOB SESTAVENÍ MATICE SOUSTAVY MMUN. 6................................35 OBR.................................... 5..... 5......... 26 OBR................ 12 OBR.... 23 OBR............................. 4.............................. 16 OBR.............5: DEMONSTRACE PRINCIPU SUPERPOZICE REZISTIVNÍM OBVODĚ.............. 2..................1: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MSP)....... 11 OBR.... 6........ 23 OBR..........................19: OVĚŘENÍ PLATNOSTI PRINCIPU KOMPENZACE (SUBSTITUCE)...............4: LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ MODEL ZESILOVACÍHO STUPNĚ SE........ 2..................6: JEDNODUCHÝ ZESILOVAČ ZAPOJENÍ SE...15: NASTAVENÍ TYPU ANALÝZY SWEEP.. .......... 25 OBR.......... 32 OBR... 4..... 10 OBR........................8: AKTIVNÍ PÁSMOVÁ PROPUST ŘÁDU OZ............ ......Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně Seznam obrázků OBR.... 4......... 4.......... 4...................... 4..... ... 26 OBR........ 2..... 27 OBR.........12: THÉVENINŮV NORTONŮV TEORÉM REZISTIVNÍM OBVODĚ.......11: NÁHRADNÍ OBVODY REÁLNÉHO ZDROJE..................................... 20 OBR................2: TRANZISTOROVÝ STUPEŇ ZAPOJENÍ SE...6: KROKOVÁNÍ HODNOTY ODPORU TÍM ZESÍLENÍ PARAMETRICKÉ ANALÝZE..... 4. 37 OBR.............. 36 OBR........................ .. 5... 29 OBR......... 4................ 4................. 19 OBR... 24 OBR. 5................3: URČENÍ NAPĚTÍ, PROUDŮ VÝKONŮ.......... 28 OBR....9: KMITOČTOVÁ ZÁVISLOST MODULU FÁZE VÝSTUPNÍ IMPEDANCE ZESILOVAČE............... 4........ 2..... 6........16: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (DC SWEEP).. 32 OBR.......... 20 OBR.......... 34 OBR.. 22 OBR..1: AKTIVNÍ DOLNÍ PROPUST DRUHÉHO ŘÁDU...................... 9 OBR........ ......... 38 OBR............. 4.................. 4..............4: MODULOVÁ KMITOČTOVÁ CHARAKTERISTIKA VSTUPNÍ IMPEDANCE OZ......... 6. 2......... 6.................... 17 OBR............. 23 OBR..... 4.................................1: STEJNOSMĚRNÝ NAPĚŤOVÝ DĚLIČ............ 40 OBR..... 3................... 5....... 3........... 8 OBR.....3: JEDNOSTUPŇOVÝ TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ KAPACITNÍ VAZBOU................ 4......... .2: ZÁVISLOST PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE F(IC)................................................8: VÝSLEDEK ČASOVÉ ANALÝZY.........5: INVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ OZ.. 34 OBR................7: ZADÁNÍ HODNOTY ODPORU PRO PARAMETRICKOU ANALÝZU..............................................5: PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKA TRANZISTORU F(UBE)......20: NÁHRADA REZISTIVNÍHO OBVODU NĚKOLIKA ZDROJI..