Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 4 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
........5: PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKA TRANZISTORU F(UBE)......7: MODULOVÁ FÁZOVÁ CHARAKTERISTIKA OBVODU APF. 29 OBR.... ..... 6.6: SUPERPOZICE HARMONICKÉHO SIGNÁLU STEJNOSMĚRNOU SLOŽKU...................... 20 OBR............. 26 OBR. .................................................... ..............12: THÉVENINŮV NORTONŮV TEORÉM REZISTIVNÍM OBVODĚ..3: KMITOČTOVÉ CHARAKTERISTIKY PŘENOSU (OTEVŘENÉ SMYČKY) OZ.....15: NASTAVENÍ TYPU ANALÝZY SWEEP.......13: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (BIAS POINT)...17: NAPĚTÍ PROUD ZÁTĚŽE JAKO FUNKCE VELIKOSTI RZ................... 4............ 4.............. 4. 23 OBR................. 2.. . 4.. .........2: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY PRACOVNÍHO BODU......... ........................... 4.... 28 OBR........ 4....... 23 OBR.........................................................5: DEMONSTRACE PRINCIPU SUPERPOZICE REZISTIVNÍM OBVODĚ.............................. .................................... 8 OBR.....14: VARIANTA NALEZENÍ VNITŘNÍHO ODPORU NÁHRADNÍHO OBVODU (BIAS POINT).. 4... 5. 2...............1: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MSP)..................... 2................20: NÁHRADA REZISTIVNÍHO OBVODU NĚKOLIKA ZDROJI..35 OBR.18: OVĚŘENÍ PLATNOSTI THÉVENINOVA NORTONOVA TEORÉMU......8: VÝSLEDEK ČASOVÉ ANALÝZY..........9: KMITOČTOVÁ ZÁVISLOST MODULU FÁZE VÝSTUPNÍ IMPEDANCE ZESILOVAČE....................19: OVĚŘENÍ PLATNOSTI PRINCIPU KOMPENZACE (SUBSTITUCE).......4: JEDNODUCHÝ PROUDOVÝ DĚLIČ ................ .. 10 OBR................ 2.... 19 OBR................ 21 OBR....1: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ β..4: LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ MODEL ZESILOVACÍHO STUPNĚ SE.... 38 OBR........16: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (DC SWEEP)............... 5...... 32 OBR. 12 OBR......... ........................2: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MUN). 6................. 14 OBR...........9: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD DVĚMA HARMONICKÝMI SIGNÁLY............................. 28 OBR.... 6............ 24 OBR............................................................ 2..........3: URČENÍ NAPĚTÍ, PROUDŮ VÝKONŮ................ ....... 6................. 30 OBR.. 2.7: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY ČASOVÉ OBLASTI..2: TRANZISTOROVÝ STUPEŇ ZAPOJENÍ SE................ 2........... 25 OBR.........3: VÝSTUPNÍ CHARAKTERISTIKY TRANZISTORU.................6: ZPŮSOB SESTAVENÍ MATICE SOUSTAVY MMUN..............4: MODULOVÁ KMITOČTOVÁ CHARAKTERISTIKA VSTUPNÍ IMPEDANCE OZ..................6: JEDNODUCHÝ ZESILOVAČ ZAPOJENÍ SE........... 4..... 6.......7: ZADÁNÍ HODNOTY ODPORU PRO PARAMETRICKOU ANALÝZU................ 16 OBR....... ......... 4.............................................................. 5........... 4..... 6.. 37 OBR..................8: CHARAKTERISTIKA VSTUP-VÝSTUP INVERTUJÍCÍHO ZESILOVAČE OZ........ 10 OBR..................5: INVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ OZ... 6.. 3..........6: KROKOVÁNÍ HODNOTY ODPORU TÍM ZESÍLENÍ PARAMETRICKÉ ANALÝZE... 6............ 37 OBR......... 9 OBR...... 24 OBR.................... 17 OBR.....................................................................Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně Seznam obrázků OBR.... 4.............................................................. 18 OBR........... 4. 4.. 34 OBR......... 4....5: AKTIVNÍ OBVOD OZ..........3: JEDNOSTUPŇOVÝ TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ KAPACITNÍ VAZBOU..... 38 OBR....4: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKY........ 24 OBR....................... 4.......... 5.......... 11 OBR................................ 22 OBR.... 34 OBR................. 5.....2: NASTAVENÍ KMITOČTOVÉHO ROZMÍTÁNÍ ANALÝZY........ 34 OBR...2: ZÁVISLOST PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE F(IC)....... 5........... 5.. 4.. 20 OBR...... ... 14 OBR............ 3....... 23 OBR......................................... 39 OBR........ 4.......... 4... 5. 5...........................................1: STEJNOSMĚRNÝ NAPĚŤOVÝ DĚLIČ. 4.......... 25 OBR............8: AKTIVNÍ PÁSMOVÁ PROPUST ŘÁDU OZ.......... 40 OBR...........10: SUPERPOZICE DVOU STŘÍDAVÝCH SIGNÁLŮ..... ..... 40 ...............................................................1: ZAPOJENÍ OBVODU PRO SIMULACI OBVODOVÝCH FUNKCÍ OZ..3: ZESILOVACÍ STUPEŇ TRANZISTOREM ZAPOJENÍ SE............... 32 OBR.....1: AKTIVNÍ DOLNÍ PROPUST DRUHÉHO ŘÁDU..... 33 OBR........... 2........ 27 OBR.........7: PRACOVNÍ CHARAKTERISTIKA ZESILOVAČE..........11: NÁHRADNÍ OBVODY REÁLNÉHO ZDROJE...... 4.................. 3........................ 27 OBR............ 31 OBR.............................8: MODULOVÉ CHARAKTERISTIKY ZESILOVAČE PRO TŘI RŮZNÉ R2..... 26 OBR...... 36 OBR....