Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 4 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
...6: SUPERPOZICE HARMONICKÉHO SIGNÁLU STEJNOSMĚRNOU SLOŽKU.............................. 24 OBR................................... 5......... 4.................. 4.4: JEDNODUCHÝ PROUDOVÝ DĚLIČ ........... ...............20: NÁHRADA REZISTIVNÍHO OBVODU NĚKOLIKA ZDROJI... 4....9: KMITOČTOVÁ ZÁVISLOST MODULU FÁZE VÝSTUPNÍ IMPEDANCE ZESILOVAČE....................... 5....... 6.................. 8 OBR...... 26 OBR........................... 11 OBR..6: KROKOVÁNÍ HODNOTY ODPORU TÍM ZESÍLENÍ PARAMETRICKÉ ANALÝZE.... 9 OBR... 34 OBR.................. 6....... ................................. 6.............. 40 .......... 29 OBR............ ............... ... 19 OBR........... 24 OBR......14: VARIANTA NALEZENÍ VNITŘNÍHO ODPORU NÁHRADNÍHO OBVODU (BIAS POINT)..................... 4...5: PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKA TRANZISTORU F(UBE)......... 2.....10: SUPERPOZICE DVOU STŘÍDAVÝCH SIGNÁLŮ............... 14 OBR............ 40 OBR...........19: OVĚŘENÍ PLATNOSTI PRINCIPU KOMPENZACE (SUBSTITUCE)...9: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD DVĚMA HARMONICKÝMI SIGNÁLY...................13: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (BIAS POINT). 34 OBR.......18: OVĚŘENÍ PLATNOSTI THÉVENINOVA NORTONOVA TEORÉMU............ ............ 28 OBR.......... 2...... 21 OBR............ 4............................. 24 OBR...................11: NÁHRADNÍ OBVODY REÁLNÉHO ZDROJE...... 34 OBR...................................7: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY ČASOVÉ OBLASTI..............8: MODULOVÉ CHARAKTERISTIKY ZESILOVAČE PRO TŘI RŮZNÉ R2........... 37 OBR....... 14 OBR..................... 4. 4.. ................ 22 OBR...........5: DEMONSTRACE PRINCIPU SUPERPOZICE REZISTIVNÍM OBVODĚ...............1: ZAPOJENÍ OBVODU PRO SIMULACI OBVODOVÝCH FUNKCÍ OZ........ 30 OBR.....3: URČENÍ NAPĚTÍ, PROUDŮ VÝKONŮ........................................... 4.............15: NASTAVENÍ TYPU ANALÝZY SWEEP.................. 27 OBR... 37 OBR.. 31 OBR... .... 5............... ................... 3.....1: STEJNOSMĚRNÝ NAPĚŤOVÝ DĚLIČ......... 6.... 2. 6.......................... 25 OBR......... 2...... 5....12: THÉVENINŮV NORTONŮV TEORÉM REZISTIVNÍM OBVODĚ....... 10 OBR....6: ZPŮSOB SESTAVENÍ MATICE SOUSTAVY MMUN........... 4.1: AKTIVNÍ DOLNÍ PROPUST DRUHÉHO ŘÁDU..........6: JEDNODUCHÝ ZESILOVAČ ZAPOJENÍ SE.................... 25 OBR.................. 18 OBR...7: ZADÁNÍ HODNOTY ODPORU PRO PARAMETRICKOU ANALÝZU................. 4.................... 3...................... 12 OBR.......2: MENU PRO NASTAVENÍ ANALÝZY PRACOVNÍHO BODU........5: INVERTUJÍCÍ ZESILOVAČ OZ....... 5....................... 4.....4: LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ MODEL ZESILOVACÍHO STUPNĚ SE...................................................... 2.. 23 OBR... 39 OBR. 32 OBR.......... 5...................................... 4......... 5. 33 OBR....35 OBR......................... 23 OBR.. 2..................4: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKY......................1: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MSP)........ 20 OBR... .........5: AKTIVNÍ OBVOD OZ... 23 OBR.... 6......................................... ......16: STANOVENÍ VNITŘNÍCH PARAMETRŮ NÁHRADNÍCH OBVODŮ (DC SWEEP).......2: TRANZISTOROVÝ STUPEŇ ZAPOJENÍ SE............7: PRACOVNÍ CHARAKTERISTIKA ZESILOVAČE..... 4..2: NASTAVENÍ KMITOČTOVÉHO ROZMÍTÁNÍ ANALÝZY............. 38 OBR..... 20 OBR.... . 6......3: KMITOČTOVÉ CHARAKTERISTIKY PŘENOSU (OTEVŘENÉ SMYČKY) OZ........ 2..2: JEDNODUCHÝ REZISTIVNÍ OBVOD (PRO MUN). 38 OBR...... 36 OBR.......... 2........2: ZÁVISLOST PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE F(IC)........................ 4......................................17: NAPĚTÍ PROUD ZÁTĚŽE JAKO FUNKCE VELIKOSTI RZ........3: VÝSTUPNÍ CHARAKTERISTIKY TRANZISTORU... 16 OBR.......................Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně Seznam obrázků OBR........ 17 OBR..............................3: ZESILOVACÍ STUPEŇ TRANZISTOREM ZAPOJENÍ SE............ 5.8: VÝSLEDEK ČASOVÉ ANALÝZY.......7: MODULOVÁ FÁZOVÁ CHARAKTERISTIKA OBVODU APF......................... 4................4: MODULOVÁ KMITOČTOVÁ CHARAKTERISTIKA VSTUPNÍ IMPEDANCE OZ..1: ZAPOJENÍ PRO SIMULACI MĚŘENÍ β. 32 OBR.................8: CHARAKTERISTIKA VSTUP-VÝSTUP INVERTUJÍCÍHO ZESILOVAČE OZ........................ 10 OBR............................................ 4............... 5...3: JEDNOSTUPŇOVÝ TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ KAPACITNÍ VAZBOU......................... 27 OBR....... 3.... 26 OBR... 28 OBR.................. 4... 4........... 4.......... 6.................................................................... 4....8: AKTIVNÍ PÁSMOVÁ PROPUST ŘÁDU OZ.......... .. ....