Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 36 z 59
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
.
6. Přidáme druhou osu (Plot/ Add Axis) zobrazíme
závislost IC(Q1)/IB(Q1) (což hledané βDC IC(Q1). Type: Current source, Name: I1, Sweep Type: Decade, Start Value: 1u, End
Value: 1m, Pts/Decade 10.
7) Napište rovnici, která koresponduje zatěžovací přímkou.
Řešení:
Zapojení pro simulaci měření Obr.
2) čem jak závisí ?
3) Nakreslete typický tvar výstupních charakteristik tranzistoru.1: Proudový zesilovací činitel jeho závislost. Probe přes Trace/ Add Trace (nebo odpovídající ikonu)
zobrazíme závislost IB(Q1).2.1. 6. analýze Sweep nastavíme:
Swept Var.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
6 Bipolární tranzistor 5
Cíl cvičení: Seznámit studenty rozmítanou stejnosměrnou analýzou (DC sweep),
s možnostmi simulací charakteristik aktivních prvků PSpice.
+
-
5V
Q1 Q2N2222I1
zdroj IDC
V1
Obr.
6. 6.
Pomocí kurzorů určíme: βmax 186,7 pro 18,6mA 177,4 pro 5mA.2 Proudový zesilovací činitel BJT 5/1
Příklad 6.
4) Jak tyto charakteristiky změříme? Nakreslete schéma.na IC(Q1). důvodu
velkého rozsahu změny proudů obou osách nastavíme log měřítko (Plot/ Axis Setting/
Xaxis (Yaxis)/ Scale/ Log.1 Test předchozích znalostí
1) Definujte proudový zesilovací činitel BJT (β).
6) výstupních charakteristikách naznačte řešení obvodu předchozí otázky.
5) Nakreslete jednoduchý zesilovač BJT zapojení SE. Odečtěte hodnotu pro 5mA. Prohloubit znalosti o
vlastnostech charakteristikách bipolárních tranzistorů.
Na ose změníme nabízenou proměnou: Plot/ Axis Setting/ Xaxis/ IC(Q1).1: Zapojení pro simulaci měření β.
Poznámka: Další (vnitřní) rozmítání Nested Sweep není tomto případě inicializováno.
Zobrazte závislost βDC f(IC) pro UCE tranzistoru Q2N2222 rozsahu
IB <1μA, 1mA>. 6. Výsledek simulace Obr
