Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 36 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
1: Zapojení pro simulaci měření β. Odečtěte hodnotu pro 5mA. 6) výstupních charakteristikách naznačte řešení obvodu předchozí otázky. 7) Napište rovnici, která koresponduje zatěžovací přímkou. Zobrazte závislost βDC f(IC) pro UCE tranzistoru Q2N2222 rozsahu IB <1μA, 1mA>.2. 5) Nakreslete jednoduchý zesilovač BJT zapojení SE. 6. 6. + - 5V Q1 Q2N2222I1 zdroj IDC V1 Obr. analýze Sweep nastavíme: Swept Var. Na ose změníme nabízenou proměnou: Plot/ Axis Setting/ Xaxis/ IC(Q1).2 Proudový zesilovací činitel BJT 5/1 Příklad 6. Výsledek simulace Obr. Poznámka: Další (vnitřní) rozmítání Nested Sweep není tomto případě inicializováno. Přidáme druhou osu (Plot/ Add Axis) zobrazíme závislost IC(Q1)/IB(Q1) (což hledané βDC IC(Q1). Probe přes Trace/ Add Trace (nebo odpovídající ikonu) zobrazíme závislost IB(Q1). . Type: Current source, Name: I1, Sweep Type: Decade, Start Value: 1u, End Value: 1m, Pts/Decade 10. Řešení: Zapojení pro simulaci měření Obr.na IC(Q1). 6. 6. důvodu velkého rozsahu změny proudů obou osách nastavíme log měřítko (Plot/ Axis Setting/ Xaxis (Yaxis)/ Scale/ Log.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně 6 Bipolární tranzistor 5 Cíl cvičení: Seznámit studenty rozmítanou stejnosměrnou analýzou (DC sweep), s možnostmi simulací charakteristik aktivních prvků PSpice.1: Proudový zesilovací činitel jeho závislost. 2) čem jak závisí ? 3) Nakreslete typický tvar výstupních charakteristik tranzistoru.1. Prohloubit znalosti o vlastnostech charakteristikách bipolárních tranzistorů. 4) Jak tyto charakteristiky změříme? Nakreslete schéma. 6. Pomocí kurzorů určíme: βmax 186,7 pro 18,6mA 177,4 pro 5mA.1 Test předchozích znalostí 1) Definujte proudový zesilovací činitel BJT (β)