Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 36 z 59
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Přidáme druhou osu (Plot/ Add Axis) zobrazíme
závislost IC(Q1)/IB(Q1) (což hledané βDC IC(Q1).
Poznámka: Další (vnitřní) rozmítání Nested Sweep není tomto případě inicializováno.
4) Jak tyto charakteristiky změříme? Nakreslete schéma.
5) Nakreslete jednoduchý zesilovač BJT zapojení SE. Výsledek simulace Obr. 6. Odečtěte hodnotu pro 5mA.
7) Napište rovnici, která koresponduje zatěžovací přímkou. důvodu
velkého rozsahu změny proudů obou osách nastavíme log měřítko (Plot/ Axis Setting/
Xaxis (Yaxis)/ Scale/ Log.2.1: Proudový zesilovací činitel jeho závislost.
+
-
5V
Q1 Q2N2222I1
zdroj IDC
V1
Obr.
Pomocí kurzorů určíme: βmax 186,7 pro 18,6mA 177,4 pro 5mA.
6.2 Proudový zesilovací činitel BJT 5/1
Příklad 6. 6.1 Test předchozích znalostí
1) Definujte proudový zesilovací činitel BJT (β).
Zobrazte závislost βDC f(IC) pro UCE tranzistoru Q2N2222 rozsahu
IB <1μA, 1mA>.
6) výstupních charakteristikách naznačte řešení obvodu předchozí otázky.
.
Řešení:
Zapojení pro simulaci měření Obr.1: Zapojení pro simulaci měření β. 6.1. Probe přes Trace/ Add Trace (nebo odpovídající ikonu)
zobrazíme závislost IB(Q1). analýze Sweep nastavíme:
Swept Var.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
6 Bipolární tranzistor 5
Cíl cvičení: Seznámit studenty rozmítanou stejnosměrnou analýzou (DC sweep),
s možnostmi simulací charakteristik aktivních prvků PSpice. Type: Current source, Name: I1, Sweep Type: Decade, Start Value: 1u, End
Value: 1m, Pts/Decade 10.
2) čem jak závisí ?
3) Nakreslete typický tvar výstupních charakteristik tranzistoru.
6.
Na ose změníme nabízenou proměnou: Plot/ Axis Setting/ Xaxis/ IC(Q1). Prohloubit znalosti o
vlastnostech charakteristikách bipolárních tranzistorů.na IC(Q1)
