Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 36 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4) Jak tyto charakteristiky změříme? Nakreslete schéma. 6. Type: Current source, Name: I1, Sweep Type: Decade, Start Value: 1u, End Value: 1m, Pts/Decade 10.na IC(Q1). Zobrazte závislost βDC f(IC) pro UCE tranzistoru Q2N2222 rozsahu IB <1μA, 1mA>. Přidáme druhou osu (Plot/ Add Axis) zobrazíme závislost IC(Q1)/IB(Q1) (což hledané βDC IC(Q1). analýze Sweep nastavíme: Swept Var. Probe přes Trace/ Add Trace (nebo odpovídající ikonu) zobrazíme závislost IB(Q1). 6. Na ose změníme nabízenou proměnou: Plot/ Axis Setting/ Xaxis/ IC(Q1).1: Proudový zesilovací činitel jeho závislost. Poznámka: Další (vnitřní) rozmítání Nested Sweep není tomto případě inicializováno.1 Test předchozích znalostí 1) Definujte proudový zesilovací činitel BJT (β). + - 5V Q1 Q2N2222I1 zdroj IDC V1 Obr. 2) čem jak závisí ? 3) Nakreslete typický tvar výstupních charakteristik tranzistoru. 6. Odečtěte hodnotu pro 5mA. 6) výstupních charakteristikách naznačte řešení obvodu předchozí otázky. 6. Výsledek simulace Obr. Prohloubit znalosti o vlastnostech charakteristikách bipolárních tranzistorů. důvodu velkého rozsahu změny proudů obou osách nastavíme log měřítko (Plot/ Axis Setting/ Xaxis (Yaxis)/ Scale/ Log. 7) Napište rovnici, která koresponduje zatěžovací přímkou.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně 6 Bipolární tranzistor 5 Cíl cvičení: Seznámit studenty rozmítanou stejnosměrnou analýzou (DC sweep), s možnostmi simulací charakteristik aktivních prvků PSpice. 5) Nakreslete jednoduchý zesilovač BJT zapojení SE. Řešení: Zapojení pro simulaci měření Obr. . Pomocí kurzorů určíme: βmax 186,7 pro 18,6mA 177,4 pro 5mA. 6.2 Proudový zesilovací činitel BJT 5/1 Příklad 6.2.1: Zapojení pro simulaci měření β.1