Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 36 z 59
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Zobrazte závislost βDC f(IC) pro UCE tranzistoru Q2N2222 rozsahu
IB <1μA, 1mA>.1: Zapojení pro simulaci měření β. Přidáme druhou osu (Plot/ Add Axis) zobrazíme
závislost IC(Q1)/IB(Q1) (což hledané βDC IC(Q1).
4) Jak tyto charakteristiky změříme? Nakreslete schéma.1 Test předchozích znalostí
1) Definujte proudový zesilovací činitel BJT (β). analýze Sweep nastavíme:
Swept Var.
2) čem jak závisí ?
3) Nakreslete typický tvar výstupních charakteristik tranzistoru.
Pomocí kurzorů určíme: βmax 186,7 pro 18,6mA 177,4 pro 5mA. Probe přes Trace/ Add Trace (nebo odpovídající ikonu)
zobrazíme závislost IB(Q1). Type: Current source, Name: I1, Sweep Type: Decade, Start Value: 1u, End
Value: 1m, Pts/Decade 10.
6.2 Proudový zesilovací činitel BJT 5/1
Příklad 6.
7) Napište rovnici, která koresponduje zatěžovací přímkou.
6.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
6 Bipolární tranzistor 5
Cíl cvičení: Seznámit studenty rozmítanou stejnosměrnou analýzou (DC sweep),
s možnostmi simulací charakteristik aktivních prvků PSpice.1. 6.
Poznámka: Další (vnitřní) rozmítání Nested Sweep není tomto případě inicializováno. 6.
Na ose změníme nabízenou proměnou: Plot/ Axis Setting/ Xaxis/ IC(Q1). důvodu
velkého rozsahu změny proudů obou osách nastavíme log měřítko (Plot/ Axis Setting/
Xaxis (Yaxis)/ Scale/ Log.
Řešení:
Zapojení pro simulaci měření Obr.
.
6) výstupních charakteristikách naznačte řešení obvodu předchozí otázky.
+
-
5V
Q1 Q2N2222I1
zdroj IDC
V1
Obr.1: Proudový zesilovací činitel jeho závislost.na IC(Q1). Prohloubit znalosti o
vlastnostech charakteristikách bipolárních tranzistorů.2. Odečtěte hodnotu pro 5mA. 6.
5) Nakreslete jednoduchý zesilovač BJT zapojení SE. Výsledek simulace Obr
