Analogové elektronické obvody

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka

Strana 26 z 59

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
14 zatržena volba Calculate small-signal DC gain (. Obr. 4. 4.14. Její nastavení zobrazeno Obr.14: Varianta nalezení vnitřního odporu náhradního obvodu (Bias Point).000E+02 OUTPUT RESISTANCE V(A) 2. 4. 4. .TF), viz Obr. Obr. svorky a-b je namísto zátěže připojen testovací zdroj proudu Ia, napětí nastaveno nulovou hodnotu, což ekvivalentní zkratování tohoto zdroje. Schéma Obr. Protože Rab Uab/Ia, výhodné volit 1A. 4.15, schéma pro analýzu Obr.2, vyplněna políčka From Input source name Output variable V(a), lze získat hodnotu vnitřního odporu náhradního zdroje rovněž protokolu o uskutečněné simulaci (PSpice/View Output File), viz výpis níže: **** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS V(A)/V_V1 6. • Druhý způsob používá analýzu typu Sweep. 4.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně • Pro nalezení vnitřního odporu lze užít rovněž zapojení dle Obr. • Bude-li při analýze zapojení Obr.16.167E+02 Ideální zdroj proudu totiž nekonečný vnitřní odpor neovlivnil tak velikost hledaného odporu Rab0 Ri. Pak totiž vnitřní odpor [Ω] číselně roven uzlovému napětí [V]. 4. 4.667E-01 INPUT RESISTANCE V_V1 3.15: Nastavení typu analýzy Sweep.16 doplněno pseudoprvkem PARAM knihovny Design Cache, ve kterém nastaveno stejné jméno proměnné její hodnoty. Rozmítaná proměnná (zatěžující odpor Rz) je volena jako globální parametr Rz, přičemž jsou definovány její tři hodnoty: 10-10 Ω modelující zkrat, nominální hodnota 200 1020 Ω modelující stav naprázdno