Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. obr. 47). 52a. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. Giacolletův model tranzistoru neboli tzv. 50. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr. 49b vypustit zdroj fQ. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. Dostaneme tak model, který obr. obr. 52b je odpovídající tzv. Příklady takovýchto modelů jsou obr. 51. obr. 51

---

---