|
Kategorie: Kniha |
Tento dokument chci!
Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Strana 73 z 480
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Ebersův Mollův model tranzistoru obr.Při zapojení všech tří vývodů tranzistoru část nosičů náboje každého obou
přechodů sice rekombinuje oblasti báze tvoří tzv.
Rezistor modelu představuje odpor hmoty polovodiče tvořícího bázi
tranzistoru. Jelikož tato závislost přitom modelu neuvažuje jen jako
lineární, ale berou úvahu další vztahy, Gummelův Poonův model interpre
tuje např.
74
. Typické hodnoty těchto
přenosů pohybují kolem 0,98 0,5. aktivní
oblast charakteristik tranzistoru, níž tranzistor může působit jako zesilovač. transportní model něho liší pouze popisem tím, základní považují
transportní složky proudu, kdežto injekční složky jsou odvozené. 49a Ebersův Mollův injekční model zjednodušen pro tzv.
Tzv. Zjednodušeni Ebersova Mollová modelu pro aktivní oblast charakteristik
tranzistoru, linearizace tohoto modelu
Z transportního modelu vychází např. 49. závislost statických dynamických vlastností tranzistoru kolektoro
vém proudu. značně dokonalý nábojový model
bipolárního tranzistoru Gummela Poona. injekční složku proudu pře
chodů, část nosičů však proniká oblasti druhého přechodu tvoří zde tzv. obr. Jelikož Ebersův Mollův model vychází zjedno
dušujícího předpokladu, vzájemná závislost mezi injekčními transportními
složkami proudu lineární, může být tento fyzikální jev modelu respektován
dvěma zdroji proudu řízenými proudem přenosem ccf ocr. Dynamické vlastnosti obou přechodů modelují nelineární kapacitory
C{ zbytkovou, difůzní bariérovou složkou kapacity obdobně jako případě
plošných polovodičových diod. Transportní model
lépe vystihuje fyzikální jevy tranzistoru snáze jej lze identifikovat měřením. Uvedený model založen před
pokladu, kolektorový proud tranzistoru závislý velikosti náboje nahroma
děného oblasti báze. jsou injekční složky proudu označeny jako if
a /r, transportní složky jako ■ii in.
Na obr. označuje jako injekční.
Další předností transportního modelu je, jej lze snáze zdokonalovat tak, aby
věrněji vystihoval chování skutečného tranzistoru.
K
KB
BB
<t>:
u f
R
R,
KB
Bo---C
BB
*fQ
<M
© i'fQ
"'rQ
-fa
a) £
Obr.
transportní složku proudu
