praxi dále
zpracovává jejich rozdíl, tedy mezifrekvence
fm v
Ostatní produkty směšování ovšem obě výchozí frekvence musí být
při dalším zpracování signálu fmvyloučeny. Pro
výpočet obvodových prvků vstupu oscilátoru pro dané přelaďované
pásmo mezifrekvenci existují poněkud zdlouhavé postupy [6].Frekvence oscilátoru leží obvykle nad přijímanou frekvencí. Mimo tato
místa dochází odchylkám souběhu nimi třeba počítat při návrhu
vstupních obvodů mezifrekvenčního zesilovače tak, aby při největší
odchylce mezifrekvence přesné hodnoty fmbyl přijímaný signál ještě
vždy propustném pásmu těchto obvodů.
Přesného souběhu lze dosáhnout pouze několika bodech přelaďova
ného pásma. praxi počítá souběh pro dva pět bodů. Vzniká tak nežádoucí příjem parazitní, zrcadlové
frekvence podle vztahu
/v m
Je zřejmé, nároky selektivitu vstupního obvodu ohledem na
příjem zrcadlových frekvencí budou tím menší, čím vyšší bude mezifrek-
275
.
Hlavními požadavky funkci oscilátoru stabilita frekvence, mini
mální obsah harmonických frekvencí parazitních složek oscilátorovém
napětí jeho stálá úroveň, nezávislá ladění.
Oscilátorový obvod musí být laděn souběžně vstupním obvodem tak,
aby celém přelaďovaném pásmu byl rozdíl frekvencí oscilátoru vstupní
frekvence pokud možno stálý roven mezifrekvenčního zesilovače. kmitajícího směšovače připojen jednoduchému laděné
mu vstupnímu obvodu LC.
Musí být tedy zajištěn souběh laděných obvodů vstupu oscilátoru. úkolem pevně naladěné
ho selektivního mezifrekvenčního zesilovače, když jistého omezení vý
chozích frekvencí lze dosáhnout vhodným zapojením směšovače.
Z principu směšování plyne, pro danou frekvenci oscilátoru f0
a vstupního signálu vznikne rozdílem frekvencí mezifrekvence Frek
vence fmvšak vznikne případě, jestliže vstup přijímače dostane
vlivem malé selektivity signál nežádoucí, jehož frekvence dvojnáso
bek fmvyšší, než fv. směšo
vací dochází vytvoření řady produktů směšování vstupní frekvence f,
a oscilační fa, především však jejich součet rozdíl. jedno
dušších přijímačů může být oscilátor spojen jednom tranzistorovém
stupni tzv
