Elektrotechnika středem zájmu

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Walter Conrad

Strana 65 z 208

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
tomu nejčastěji používá technika maskování. destičce základového materiálu délkou strany 0,5 nebo napří­ klad vyleptat složitý obrazec. NDR se vyrábí zařízení ZBA 10, které řízeno počítačem pracuje plně automaticky. Často jsou však potřebné i jemnější detaily, ale pro jsou již světelné paprsky příliš hrubým nástrojem. fotorezistu), který ztvrdne v místech, kde byl osvětlen ultrafialovým světlem. Při následujícím procesu vyvolávání zůstanou z maskovací vrstvy jen místa, která byla osvětlena; jinde vrstva odstraní. _ rozpuštění neosvětlených míst fotorezistu maska (osvětlená šablona místa fotorezistu) UHZZZZIZZZZL. vrstva S vrstva fotorezistu ultrafialové zářeni" M II . Z maskovací lakové vrstvy tím vznikne maska obsahující požado­ vaný obrazec místa nekrytá maskou pak může volně působit leptací prostředek. Postup vytváření použití masky při leptání obrazců vrstvy oxidu křemí­ kové podložce Tímto způsobem lze vytvářet obrazce detaily rozměru |mi (jeden mikrometr jedna tisícina milimetru). 63 . křemík odstranění asky odleptánívrstvy 2 Obr. vyleptání maska odstraní (obr. 30). Protože jsou krycí laky citlivé také elektronové paprsky, je tím dána možnost vytvářet masky elektronovým paprskem. 30. Obrazec, který byl navržen nakreslen značně zvětšeném měřítku, promítne pří­ slušném zmenšení tuto vrstvu nebo vrstva osvětlí přes šablonu s daným obrazcem. Taková zařízení pro osvit elektronovým paprskem skutečně jsou, např. destičku nanese maskovací vrstva speciálního laku citlivého světlo (tzv