Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
K objasnění funkce tyristoru jeho modelování počítači často používá
náhrada tyristoru kombinací dvou bipolárních tranzistorů vzájemnou kladnou
zpětnou vazbou, jak ukazuje obr. obr. Má-li tyristor zůstat zapnutém stavu, jeho výstupní proud musí
překročit hodnotu tzv. přídržného proudu tomu, aby tyristor přešel zapnutého
do blokovacího stavu, nutné, aby jeho výstupní proud klesl pod hodnotu tzv. Závislost stavu tohoto modelu na
hodnotách vstupních výstupních veličin udává vývojový diagram obr. Pro
zvlášť vysoké nároky přesnost modelování, zejména tyristorů pro velmi značné
výkony, nutné tento model doplnit ještě dalšími prvky. minimální hodnotu výstupního napětí potřebnou zapnutí tyristoru se
považuje odpovídající bodu výstupní charakteristice oblasti
A
o
G o
Obr. Parametry tohoto
modelu stejně jako tranzistoru nejčastěji identifikují základě měření. 57. 58a je
po úsecích lineární statický model tyristoru. při vyšetřování rušení způsobeného tyristory).Jelikož rostoucím vstupním proudem hodnota výstupního napětí UB
potřebného zapnutí klesá, tyristor obvykle zapíná vstupním proudem určité
kladné hodnotě IGZ, čemuž pak postačí výstupní napětí UBZ hodnotě podstatně
nižší než UB0.
V praxi však nejčastěji vystačíme modely podstatně jednoduššími. Diodový model tyristoru
ó
K
78
. 58b. 58c jsou vstupní výstupní voltampérové charakteristiky uvedeného
modelu.
Uvedený způsob modelování tyristorů účelný pouze tehdy, zajímáme-li se
o detailní průběh jejich odezev (např.
Na obr.
Předpokládá zde, blokovacím stavu výstupní odpor tyristoru roven
hodnotě zapnutém stavu hodnotě minimální hodnotu výstupního
proudu zapnutém stavu považuje ležící blízkosti vratného přídržného
proudu. Použitím Ebersova Mollová modelu pro
oba tranzistory sloučením nebo vypuštěním některých prvků dospějeme nelineár
nímu dynamickému modelu tyristoru, který obr. 56. Idealizované diody tomto
modelu mají opět exponenciální voltampérovou charakteristiku nelineární kapa-
citory modelují jejich zbytkovou bariérovou difůzní kapacitu. 57.
vratného proudu přičemž 0
