Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
\]
1 959 0,115 10^5 0,3
2 1110 0,14 10“ 0,06
3 36,2 0,18 185 2,0
Aby byla zajištěna správná funkce stabilizátoru aby nedocházelo katastro
fálním selháním obvodu vlivem překročení přípustných mezních hodnot parametrů,
musí být splněny podmínky uvedené tab. Příklad tolerančního návrhu
Na obr. Stabilizátor napájen
ze zdroje napětí Jmenovité výstupní napětí stabilizátoru Stabilizátor
má být navržen tak, aby kolísání jeho výstupního napětí nepřekročilo při
kolísání zátěže ±20 její jmenovité hodnoty při kolísání vstupního
napětí +1,5 Pravděpodobnost, stabilizátor bude splňovat toto zadání,
má být 0,999 (nebere-li úvahu selhání součástí).
Tranzistor působí jako diferenciální zesilovač. 55.
Po analýze linearizovaného stejnosměrného modelu stabilizátoru počítači
byla provedena kontrola, jaké míry výpočet souhlasí realitou. Jeho výstup připojen na
bázi emitorového sledovače T2, který dále budí T3. Výstup porovnává vzorek stabilizovaného
napětí odebíraný děliče tvořeného rezistory referenčním napětím na
Zenerově diodě Rezistor slouží kompenzaci vlivu proudu zátěže Rz.6.
Tabulka 54.3. 154b linearizovaný statický model uvažovaného stabilizátoru.
Pro všechny tranzistory použijeme linearizovaný model znázorněný obr. Hodnoty parametrů linearizovaného modelu tranzistoru
T [O]
1--------1
ca
h22 [S] ^21 IK0 |m. Linearizovaný model tranzistoru
Na obr.
Podobně Zenerova dioda nahrazena rezistorem sérii sideálním zdrojem napětí. 154a zapojení elektronického stabilizátoru napětí.
Napájecí zdroj reprezentován ideálním zdrojem napětí sérii vnitřním odporem. 54. 155. Výstup představuje
stabilizované napětí zátěži Rz. 155. Výsledky porov
nání vypočítaných uzlových napětí modelu uzlových napětí naměřených reali
429
.
Parametry tohoto modelu jsou pro jednotlivé tranzistory uvedeny tab.
u
•
v
€ "ke
^21'b< [uh22
i B°-- i—<E
Obr.7
