Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
Unipolárne tranzistory (na rozdiel bipolárnych) pracujú iba
s majoritnými nosičmi náboja napäťovo riadené, teda neodoberajú
žiadny hradlový prúd, preto majú veľmi veľký vstupný odpor (rádovo
109Q).1 Princíp hlavné typy unipolárnych
výkonových tranzistorov
Nevýhody uvedené stati 3.5 možno veľkej miere odstrániť
použitím modernejších typov výkonových tranzistorov riadených elek
trickým poľom, ktoré nazývame unipolárne tranzistory.3. rozdiel bipolárnych tranzistorov nemajú
unipolárne tranzistory dva blízko seba umiestnené priechody PN, ktoré
sa navzájom ovplyvňujú tranzistorovým javom, pretože poľom riadené
tranzistory nemajú žiadny funkčný priechod PN.2.
Tie isté typy vyrábajú výkonovej verzii. Unipolárne
tranzistory patria medzi najstaršie typy nevýkonových tranzistorov, ale
ako výkonové tranzistory používajú len niekoľko rokov. Záťažný prúd preteká
iba cez kanály, ktorých vodivosť možno plynulo ovplyvňovať elektric
kým poľom (vodivosť uskutočňuje iba elektrónmi alebo dierami —
odtiaľ názov unipolárne“).
Na obr. Unipolárne tranzistory označu
jeme skratkou FET.1. 3. Veľkosť záťažného prúdu riadi iba elektrickým poľom, ktoré
vzniká pôsobením hradlového napätia.
Z nevýkonovej elektroniky známe dva hlavné druhy tranzistorov
FET:
— priechodovým hradlom (JFET),
— izolovaným hradlom. Najnovšie pokroky technológii výroby
integrovaných obvodov veľkou hustotou integrácie VLSI) umožnili
výrobu tranzistorov riadených poľom pre prúdy rádovo desiatky
A napätie rádovo stovky V.
Principiálne možno povedať, výkonové tranzistory FET para
lelne pospájanou kombináciou veľkého množstva (102až 103) nevýko
nových tranzistorov FET.
Tranzistor JFET vývody označené nasledujúco: základňa (sub
strát) tranzistora označená zdrojová elektróda (anglicky Source),
68
.17 schematická značka tranzistora JFET kanálom P.2 UNIPOLÁRNE TRANZISTORY
3
