Výkonová elektrotechnika v praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik, Peter Lachký, Alexander Végh

Strana 60 z 343

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4 Výkonové tranzistory v Darlingtonovom zapojení Z nevýkonovej tranzistorovej techniky známe kaskádové (dvoj­ stupňové, Darlingtonovo) zapojenie podľa obr. c E Obr. 3.1. 3. Tranzistory Darlingtonovom zapojení Ak označíme prúdový zosilňovací činiteľ (h2iE) tranzistora VT, a fi2 tranzistora VT2, obr.Okrem toho treba použiť špeciálne ochranné obvody potlačenie prepäti, ktoré vznikajú pri vypínaní záťaže induktívneho charakteru.16) 62 . 3. Tvarovacie obvody bázového prúdu, obvody istenia proti prepätiam a nadprúdom výkonového tranzistora tvoria potom výsledku po­ merne zložité elektronické zapojenie, ktoré ďalej komplikuje tým, že bázové obvody musia byť obyčajne galvanicky oddelené zdroja logických riadiacich signálov. 3. Vstupný (budiaci) tranzistor VTXodovzdáva celý svoj budia­ ci prúd priamo bázy výstupného tranzistora VT2.12, ktoré realizuje dvoma tranzistormi rovnakou vodivosťou spoločne zapojenými kolektormi.12.12 vyplýva •íci A-^bi (3. Každý výkonový tranzistor musí spínacom režime doplniť aj špeciálnou rýchlou nadprúdovou ochranou, ktorá pri náraste skratového prúdu zasahuje bezprostredne budiaceho obvodu tranzistora