Výkonová elektrotechnika v praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik, Peter Lachký, Alexander Végh

Strana 54 z 343

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pre tepelné výpočty možno výhodne použiť náhradné schémy, ekvivalentné elek­ trickými obvodmi.Ešte nepriaznivejšie podmienky pri použití tranzistorového spína­ ča spínanie ohmicko-induktívnej záťaže {obr.8. Pri vypínaní indukčnosť záťaže bráni poklesu prúdu, preto (aj pri zjednodušujú­ com predpoklade ton ŕoff) pri vypínaní dostaneme neúmerne veľké špičkové straty Pofr, ktoré veľmi nebezpečné pre druhý prieraz tran­ zistora. ko­ lektorového priechodu) cez kolektor puzdra tranzistora. o (3. Obr. 3.2) 56 .8). 3. Tepelnému toku (AV) stojí ceste tepelný odpor R th, ktorom vytvorí tepelný spád (úbytok) A9, ekvivalentný potenciálovému rozdielu elektrickom obvode. Výkonový tranzistor zapojení ustálenom režime zdrojom stratového výkonu Pretože B<? (10- 50-krát) UBE UCE (10- 100-krát), vo väčšine prípadov možno bázové straty PB(AV) proti PC(AV) zanedbať a celkové straty tranzistora považovať straty kolektora PCíavi- Tepelný výkon PC{av) odvádza štruktúry tranzistora (t. Spínanie výkonového tranzistora pri ohmicko-induktívnej záťaži Pre tento prípad, ktorý veľmi dôležitý pre prax, uvedieme spôsob výpočtu tepelného namáhania tranzistora