Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
Každý výkonový tranzistor OSFET, umiestnený jednom puz
dre, skladá niekoľko tisíc paralelne zapojených jednotlivých tranzi
storov. Parametrom napätie
«GE. Namiesto kolektora (C) emitora (E) elektródy označujú
D (drain) (source). Majú
veľkú rýchlosť spínania veľký vstupný odpor, avšak väčší úbytok
napätia priamom smere. Charakteristické dva pracovné body VYP ohraničený
výkon. 2. Tým
sa nielen zmenšuje energetická náročnosť meničov, ale podstatne sa
zjednodušujú zlacňujú riadiace obvody, ktorých netreba použiť
výkonové zosilňovače. odstránenie uvedenej nevýhody možno
použiť paralelné spojenie bipolárneho unipolárneho tranzistora.18.Unipolárny výkonový tranzistor riadený poľom označuje tiež ako
M SFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor) jeho
voltampérová charakteristiky obr.18. Voltampérová charakteristiky tranzistora SFET
Podstatnou výhodou poľom riadených unipolárnych tranzistorov
proti bežným bipolárnym tranzistorom malý potrebný riadiaci vý
kon.
Obr. Bez akýchkoľvek opatrení ich možno radiť paralelne. 2. Kým napríklad bipolárny tranzistor 100 potrebuje riadiaci prúd
1 unipolárnemu tranzistoru stačí niekoľko miliampérov. Po
42
