Vysokoškolská učebnica sa zaoberá výkonovými polovodičovými súčiastkami a rôznymi druhmi výkonových polovodičových meničov, určených pre jednosmerné aj striedavé elektrické pohony. Preberajú sa ich principiálne aj konkrétne schémy zapojení. Výklad sa opiera o matematické rozbory s príslušnými závermi a zhrnutím poznatkov. Autor sa čiastočne zameriava aj na dimenzovanie súčiastok meničov a čiastočne rozoberá vplyv elektrických pohonov s polovodičovými meničmi na energetickú sieť.Určená je predovšetkým poslucháčom elektrotechnických fakúlt. Na získanie základných poznatkov a prehľadu vo výkonovej elektronike môže poslúžiť aj študujúcim popri zamestnaní, poslucháčom iných fakúlt, ale aj inžinierom a ostatným záujemcom v praxi.
obrázku 2. Kolektorový priechod aktívnej oblasti
tranzistora závernom stave. Principiálne
štruktúry dvoma možnými alternatívami obr. technologického hľadiska
základnou požiadavkou pre vznik tranzistorového javu silná dotácia (znečis
tenie prímesovými prvkami) nevlastného (extrinzického) polovodiča oblasti
emitora slabá dotácia polovodičov oblasti bázy kolektora. stávajú minoritnými nosičmi (elektróny polovodiči diery
v AO.9.9 nakreslené symbolické
značky tranzistorov obidvoch typov. 2.
°H
Obr. Vľavo štruktúra
tranzistora NPN, vpravo PNP. Cez emitorový
priechod jEsa majoritné nosiče polovodiča emitora injektujú (vstrekujú) do
oblasti bázy. bázovom polovodiči dochádza difúzii (rozptyľovaniu) nosičov, pričom
sa iba nepatrné množstvo minoritných nosičov rekombinuje (neutralizuje) voľ
nými nábojmi opačného typu.2. Pre správnu činnosť tranzistora, pre
vznik tranzistorového javu treba, aby boli obidva priechody tranzistora
správne polarizované zdrojmi vonkajšieho napätia. zodpovedajúce napätia UEB
a UBC pri tranzistore PNP) musia byť kladné. 2. Šírka bázového
polovodiča, nazývaná stručne šírka bázy, musí byť najmenšia. Opäť stávajú majoritnými nosičmi ich
rekombináciou vzniká kolektorovými prúd. Emitorový priechod E
má byť priepustnom stave. Jednotlivé elektródy tranzistora sú:
C kolektor, emitor báza. Principiálne štruktúry schematické značky tranzistorov NPN PNP
Vplyvom silného elektrického poľa širokej kolektorovej potenciálovej bariéry
(závěrná polarizácia priechodu7C!) minoritné nosiče urýchľujú dostávajú do
polovodiča oblasti kolektora. Prúd pretekajúci kolektorom je
.2.2 RIADENÉ POLOVODIČOVÉ SÚČIASTKY 31
2.1 VÝKONOVÝ TRANZISTOR
Výkonový tranzistor trojvrstvovú polovodičovú štruktúru. Prevažujúca väčšina minoritných nosičov aj
pri krátkej difúznej dráhe dostane blízkosti kolektorového priechodu PN.9, napätie Č7BEna emitorovom priechode napätie Č7CBna kolekto
rovom priechode pri tranzistore (príp. 2. Podľa vyznačených kladných zmyslov napätí na
obr.9
