Vysokoškolská učebnica sa zaoberá výkonovými polovodičovými súčiastkami a rôznymi druhmi výkonových polovodičových meničov, určených pre jednosmerné aj striedavé elektrické pohony. Preberajú sa ich principiálne aj konkrétne schémy zapojení. Výklad sa opiera o matematické rozbory s príslušnými závermi a zhrnutím poznatkov. Autor sa čiastočne zameriava aj na dimenzovanie súčiastok meničov a čiastočne rozoberá vplyv elektrických pohonov s polovodičovými meničmi na energetickú sieť.Určená je predovšetkým poslucháčom elektrotechnických fakúlt. Na získanie základných poznatkov a prehľadu vo výkonovej elektronike môže poslúžiť aj študujúcim popri zamestnaní, poslucháčom iných fakúlt, ale aj inžinierom a ostatným záujemcom v praxi.
9. technologického hľadiska
základnou požiadavkou pre vznik tranzistorového javu silná dotácia (znečis
tenie prímesovými prvkami) nevlastného (extrinzického) polovodiča oblasti
emitora slabá dotácia polovodičov oblasti bázy kolektora. obrázku 2. Prúd pretekajúci kolektorom je
.9, napätie Č7BEna emitorovom priechode napätie Č7CBna kolekto
rovom priechode pri tranzistore (príp.
°H
Obr. Šírka bázového
polovodiča, nazývaná stručne šírka bázy, musí byť najmenšia. Emitorový priechod E
má byť priepustnom stave. Kolektorový priechod aktívnej oblasti
tranzistora závernom stave. Podľa vyznačených kladných zmyslov napätí na
obr.9.9 nakreslené symbolické
značky tranzistorov obidvoch typov. Pre správnu činnosť tranzistora, pre
vznik tranzistorového javu treba, aby boli obidva priechody tranzistora
správne polarizované zdrojmi vonkajšieho napätia. 2.2. Principiálne
štruktúry dvoma možnými alternatívami obr. stávajú minoritnými nosičmi (elektróny polovodiči diery
v AO.2 RIADENÉ POLOVODIČOVÉ SÚČIASTKY 31
2.1 VÝKONOVÝ TRANZISTOR
Výkonový tranzistor trojvrstvovú polovodičovú štruktúru. bázovom polovodiči dochádza difúzii (rozptyľovaniu) nosičov, pričom
sa iba nepatrné množstvo minoritných nosičov rekombinuje (neutralizuje) voľ
nými nábojmi opačného typu. zodpovedajúce napätia UEB
a UBC pri tranzistore PNP) musia byť kladné. Principiálne štruktúry schematické značky tranzistorov NPN PNP
Vplyvom silného elektrického poľa širokej kolektorovej potenciálovej bariéry
(závěrná polarizácia priechodu7C!) minoritné nosiče urýchľujú dostávajú do
polovodiča oblasti kolektora. Opäť stávajú majoritnými nosičmi ich
rekombináciou vzniká kolektorovými prúd. 2.2. Prevažujúca väčšina minoritných nosičov aj
pri krátkej difúznej dráhe dostane blízkosti kolektorového priechodu PN. Vľavo štruktúra
tranzistora NPN, vpravo PNP. Cez emitorový
priechod jEsa majoritné nosiče polovodiča emitora injektujú (vstrekujú) do
oblasti bázy. 2. Jednotlivé elektródy tranzistora sú:
C kolektor, emitor báza
