Vysokoškolská učebnica sa zaoberá výkonovými polovodičovými súčiastkami a rôznymi druhmi výkonových polovodičových meničov, určených pre jednosmerné aj striedavé elektrické pohony. Preberajú sa ich principiálne aj konkrétne schémy zapojení. Výklad sa opiera o matematické rozbory s príslušnými závermi a zhrnutím poznatkov. Autor sa čiastočne zameriava aj na dimenzovanie súčiastok meničov a čiastočne rozoberá vplyv elektrických pohonov s polovodičovými meničmi na energetickú sieť.Určená je predovšetkým poslucháčom elektrotechnických fakúlt. Na získanie základných poznatkov a prehľadu vo výkonovej elektronike môže poslúžiť aj študujúcim popri zamestnaní, poslucháčom iných fakúlt, ale aj inžinierom a ostatným záujemcom v praxi.
Prevažujúca väčšina minoritných nosičov aj
pri krátkej difúznej dráhe dostane blízkosti kolektorového priechodu PN.2 RIADENÉ POLOVODIČOVÉ SÚČIASTKY 31
2. Podľa vyznačených kladných zmyslov napätí na
obr. Kolektorový priechod aktívnej oblasti
tranzistora závernom stave. zodpovedajúce napätia UEB
a UBC pri tranzistore PNP) musia byť kladné.2. stávajú minoritnými nosičmi (elektróny polovodiči diery
v AO. Jednotlivé elektródy tranzistora sú:
C kolektor, emitor báza.2. Vľavo štruktúra
tranzistora NPN, vpravo PNP.1 VÝKONOVÝ TRANZISTOR
Výkonový tranzistor trojvrstvovú polovodičovú štruktúru. 2. Pre správnu činnosť tranzistora, pre
vznik tranzistorového javu treba, aby boli obidva priechody tranzistora
správne polarizované zdrojmi vonkajšieho napätia. 2. Prúd pretekajúci kolektorom je
. 2. Principiálne štruktúry schematické značky tranzistorov NPN PNP
Vplyvom silného elektrického poľa širokej kolektorovej potenciálovej bariéry
(závěrná polarizácia priechodu7C!) minoritné nosiče urýchľujú dostávajú do
polovodiča oblasti kolektora. Šírka bázového
polovodiča, nazývaná stručne šírka bázy, musí byť najmenšia.
°H
Obr.9 nakreslené symbolické
značky tranzistorov obidvoch typov.9. technologického hľadiska
základnou požiadavkou pre vznik tranzistorového javu silná dotácia (znečis
tenie prímesovými prvkami) nevlastného (extrinzického) polovodiča oblasti
emitora slabá dotácia polovodičov oblasti bázy kolektora. Emitorový priechod E
má byť priepustnom stave. Cez emitorový
priechod jEsa majoritné nosiče polovodiča emitora injektujú (vstrekujú) do
oblasti bázy. obrázku 2. Principiálne
štruktúry dvoma možnými alternatívami obr.9. bázovom polovodiči dochádza difúzii (rozptyľovaniu) nosičov, pričom
sa iba nepatrné množstvo minoritných nosičov rekombinuje (neutralizuje) voľ
nými nábojmi opačného typu. Opäť stávajú majoritnými nosičmi ich
rekombináciou vzniká kolektorovými prúd.9, napätie Č7BEna emitorovom priechode napätie Č7CBna kolekto
rovom priechode pri tranzistore (príp
