Vysokoškolská učebnica sa zaoberá výkonovými polovodičovými súčiastkami a rôznymi druhmi výkonových polovodičových meničov, určených pre jednosmerné aj striedavé elektrické pohony. Preberajú sa ich principiálne aj konkrétne schémy zapojení. Výklad sa opiera o matematické rozbory s príslušnými závermi a zhrnutím poznatkov. Autor sa čiastočne zameriava aj na dimenzovanie súčiastok meničov a čiastočne rozoberá vplyv elektrických pohonov s polovodičovými meničmi na energetickú sieť.Určená je predovšetkým poslucháčom elektrotechnických fakúlt. Na získanie základných poznatkov a prehľadu vo výkonovej elektronike môže poslúžiť aj študujúcim popri zamestnaní, poslucháčom iných fakúlt, ale aj inžinierom a ostatným záujemcom v praxi.
Vľavo štruktúra
tranzistora NPN, vpravo PNP. Emitorový priechod E
má byť priepustnom stave. obrázku 2.9, napätie Č7BEna emitorovom priechode napätie Č7CBna kolekto
rovom priechode pri tranzistore (príp. Principiálne štruktúry schematické značky tranzistorov NPN PNP
Vplyvom silného elektrického poľa širokej kolektorovej potenciálovej bariéry
(závěrná polarizácia priechodu7C!) minoritné nosiče urýchľujú dostávajú do
polovodiča oblasti kolektora. Prevažujúca väčšina minoritných nosičov aj
pri krátkej difúznej dráhe dostane blízkosti kolektorového priechodu PN. 2.2 RIADENÉ POLOVODIČOVÉ SÚČIASTKY 31
2. Jednotlivé elektródy tranzistora sú:
C kolektor, emitor báza.9.9 nakreslené symbolické
značky tranzistorov obidvoch typov. bázovom polovodiči dochádza difúzii (rozptyľovaniu) nosičov, pričom
sa iba nepatrné množstvo minoritných nosičov rekombinuje (neutralizuje) voľ
nými nábojmi opačného typu. Opäť stávajú majoritnými nosičmi ich
rekombináciou vzniká kolektorovými prúd. Kolektorový priechod aktívnej oblasti
tranzistora závernom stave.9. zodpovedajúce napätia UEB
a UBC pri tranzistore PNP) musia byť kladné. technologického hľadiska
základnou požiadavkou pre vznik tranzistorového javu silná dotácia (znečis
tenie prímesovými prvkami) nevlastného (extrinzického) polovodiča oblasti
emitora slabá dotácia polovodičov oblasti bázy kolektora. 2. Cez emitorový
priechod jEsa majoritné nosiče polovodiča emitora injektujú (vstrekujú) do
oblasti bázy.
°H
Obr. Principiálne
štruktúry dvoma možnými alternatívami obr. Šírka bázového
polovodiča, nazývaná stručne šírka bázy, musí byť najmenšia. Prúd pretekajúci kolektorom je
. Pre správnu činnosť tranzistora, pre
vznik tranzistorového javu treba, aby boli obidva priechody tranzistora
správne polarizované zdrojmi vonkajšieho napätia. Podľa vyznačených kladných zmyslov napätí na
obr. 2.1 VÝKONOVÝ TRANZISTOR
Výkonový tranzistor trojvrstvovú polovodičovú štruktúru.2. stávajú minoritnými nosičmi (elektróny polovodiči diery
v AO.2
