Výkonová elektronika pre elektrické pohony

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Vysokoškolská učebnica sa zaoberá výkonovými polovodičovými súčiastkami a rôznymi druhmi výkonových polovodičových meničov, určených pre jednosmerné aj striedavé elektrické pohony. Preberajú sa ich principiálne aj konkrétne schémy zapojení. Výklad sa opiera o matematické rozbory s príslušnými závermi a zhrnutím poznatkov. Autor sa čiastočne zameriava aj na dimenzovanie súčiastok meničov a čiastočne rozoberá vplyv elektrických pohonov s polovodičovými meničmi na energetickú sieť.Určená je predovšetkým poslucháčom elektrotechnických fakúlt. Na získanie základných poznatkov a prehľadu vo výkonovej elektronike môže poslúžiť aj študujúcim popri zamestnaní, poslucháčom iných fakúlt, ale aj inžinierom a ostatným záujemcom v praxi.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Juraj Oetter

Strana 29 z 404

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Prevažujúca väčšina minoritných nosičov aj pri krátkej difúznej dráhe dostane blízkosti kolektorového priechodu PN. Pre správnu činnosť tranzistora, pre vznik tranzistorového javu treba, aby boli obidva priechody tranzistora správne polarizované zdrojmi vonkajšieho napätia. obrázku 2. 2.2 RIADENÉ POLOVODIČOVÉ SÚČIASTKY 31 2. Emitorový priechod E má byť priepustnom stave.1 VÝKONOVÝ TRANZISTOR Výkonový tranzistor trojvrstvovú polovodičovú štruktúru.2. °H Obr. stávajú minoritnými nosičmi (elektróny polovodiči diery v AO. 2.9, napätie Č7BEna emitorovom priechode napätie Č7CBna kolekto­ rovom priechode pri tranzistore (príp. Principiálne štruktúry schematické značky tranzistorov NPN PNP Vplyvom silného elektrického poľa širokej kolektorovej potenciálovej bariéry (závěrná polarizácia priechodu7C!) minoritné nosiče urýchľujú dostávajú do polovodiča oblasti kolektora. Šírka bázového polovodiča, nazývaná stručne šírka bázy, musí byť najmenšia. Principiálne štruktúry dvoma možnými alternatívami obr.9. Podľa vyznačených kladných zmyslov napätí na obr.9. zodpovedajúce napätia UEB a UBC pri tranzistore PNP) musia byť kladné. 2. Prúd pretekajúci kolektorom je . bázovom polovodiči dochádza difúzii (rozptyľovaniu) nosičov, pričom sa iba nepatrné množstvo minoritných nosičov rekombinuje (neutralizuje) voľ­ nými nábojmi opačného typu. Jednotlivé elektródy tranzistora sú: C kolektor, emitor báza.9 nakreslené symbolické značky tranzistorov obidvoch typov. Kolektorový priechod aktívnej oblasti tranzistora závernom stave. Cez emitorový priechod jEsa majoritné nosiče polovodiča emitora injektujú (vstrekujú) do oblasti bázy. Opäť stávajú majoritnými nosičmi ich rekombináciou vzniká kolektorovými prúd.2. technologického hľadiska základnou požiadavkou pre vznik tranzistorového javu silná dotácia (znečis­ tenie prímesovými prvkami) nevlastného (extrinzického) polovodiča oblasti emitora slabá dotácia polovodičov oblasti bázy kolektora. Vľavo štruktúra tranzistora NPN, vpravo PNP