Stručné základy elektrotechniky vykonaly dvěma vydáním i kus dobré průkopnické práce. Vznikly z mé potřeby ku přednáškám na vysoké škole stavebního inženýrství při vysokém učení technickém v Praze a na vysoké škole báňské v Příbrami. Že kniha byla oblíbená i na vyšších školách průmyslových, ba jako spis pro rekapitulaci před zkouškami z obecné elektrotechniky na elektrotechn. fakultě pražské, mi bylo mnohokráte prokazováno.
Autor: Václav Pošík
Strana 17 z 500
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
pole (t. množství (viz
str. pole. Springer Berlíně, 1928, str. pole přímo úměrná působí
címu el.4) Lze tudíž pro intensitu el.), pro el. pole rovna podílu rozdílu potenciálu, (resp. 30. pole psáti
(2a)
t. Zavedeme-li >\
do obou posledních rovnic praktické jednotky: pro napětí
v (viz str. množství nepřímo úměrná velikosti ekvipoten
ciální plochy, jest ita el. pole dráze dána součinem síly
pole vzdálenosti dr; při tom hodnota potenciálu změní
o dV.potenciálů); zde pak
zhuštění ploch udává zesílení, zředění naopak zeslabení el. 20—54. Poněvadž síla el.
6) Čti „kulem:", ale sto kulónbů. síla, působící
množstvím jednotkové množství) vzdálenosti dána
vztahem
(2)
Srovnáním rovnicí (1) vidíme, Tedy před
stavuje opravdu sílu.), pro vzdálenost cm, dostáváme konstantu rov
nice (2) hodnotou
ve které tric činitel, kterým se
přihlíží povaze isolačního prostředí (dielektrika).plochami bylo stejné napětí (týž rozdíl. 29.
4) Viz Milan idm ar: Vorlesungen uber die wissenschaftlichen Grund-
lagen der Elektrotechnik, nakl.
z napětí) vzdálenosti obou ekvipotencidlních ploch. intensita el.
Práce při pohybu jednotkového množství elektrického
v místě intensity el.
Nejjednodušším případem elektrického pole pole bod
vého je; silokřivky mají směr radiálních paprsků,
ekvipotenciální plochy jsou soustředné plochy kulové,
při čemž hustota silokřivek nepřímo úměrná velikostem
těchto ploch.
