Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 47 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

IB 0,4.00075/4lB hF 200 Úbytok napätia Rb: URb UIN UBE 0,65 4,351/ Hodnota odporu Rb: Výkonová strata tranzistore: P UCE.IC+ UBE.Výpočet hodnôt súčiastok Určíme hodnotu bázového odporu Rb: Prúd bázou: 0.0,00075 =0,0205W Pokiaľ satranzistor používa ako spínač, volí hodnota prúdu tečúceho bázou aspoň 3krát väčšia, nežje potrebné pre plnéotvorenietranzistora. .0,05 0,65

---

---