Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 14 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Rp odpor priechodu.Polovodičové obvodové súčiastky. Náhradný obvod diódy. Ls predstavuje indukčnosť prívodov uplatňuje sa pri veľmi vysokých frekvenciách. V závislosti napätia mení šírka vyprázdnenej oblasti teda kapacita diódy súčasne mení odpor vyprázdnenej oblasti. Diódy ich všeobecné vlastnosti. Rs predstavuje odpor zvyšného polovodičového materiálu (okrem priechodu) odpor prívodov. . Cv kapacita zhoršuje usmerňovací účinok diódy pri vysokých frekvenciách, pretože umožňuje prechod prúdu cez uzavretý prechod PN. R? Kapacita diódy Veľkosť tejto kapacity niekoľko niekoľko desiatok pF