Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 14 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Polovodičové obvodové súčiastky. Cv kapacita zhoršuje usmerňovací účinok diódy pri vysokých frekvenciách, pretože umožňuje prechod prúdu cez uzavretý prechod PN. Náhradný obvod diódy. V závislosti napätia mení šírka vyprázdnenej oblasti teda kapacita diódy súčasne mení odpor vyprázdnenej oblasti. Ls predstavuje indukčnosť prívodov uplatňuje sa pri veľmi vysokých frekvenciách. Rp odpor priechodu. Rs predstavuje odpor zvyšného polovodičového materiálu (okrem priechodu) odpor prívodov. . R? Kapacita diódy Veľkosť tejto kapacity niekoľko niekoľko desiatok pF. Diódy ich všeobecné vlastnosti