3-11
Až doposud jsme zabývali případy, kdy kmitočet signálu velmi nízký.3-12
67
.
Těchto náhradních obvodů známo několik liší složitostí přesností, sjakou
aproximují skutečné vlastnosti tranzistoru ale nejčastěji užívá Giacolletův model p
článek který Obr.
Obr. Ukazuje však, že
se stoupajícím kmitočtem ubývá dobrých vlastností tranzistoru ten začíná zesilovat méně a
tranzistoru odehrávají
/ konečná průletová doba oblastí báze, kapacity jejich nabíjení, atd. 2. 2. 2. Rovněž tak nelze užít
kaskádu zapojení protože kdybychom uvážili Zvst 100 Zvýst ,
dostáváme situaci :
1k e2(t) 1k
100
e2 )
Obr.3-10
100
100 1000
0,9 •ex{t)
Zbývá nám tedy užít zapojení nebo nějakým způsobem provést transformaci impedance. 2.
K
Obr. Abychom postihli tyto
vlivy, uvažujeme působení jen malých signálů, čehož vyplývá, tranzistor svojí
podstatou nelineární prvek bude chovat jako prvek lineární může být tedy reprezentován
obvodem složeným lineárních prvků rezistorů kapacitorů, které modelují frekvenční
vlastnosti tranzistoru. Takovému obvodu říkáme náhradní obvod pro malý signál.3-12 zjednodušený .Pro napěťové zesilování nelze tedy užít zapojení ani jeho kaskády
