Reálná dioda oproti ideální liší hlavně dvou oblastech :
a/ oblasti přímého směru pro velké proudy přestává být charakteristika exponenciální blíží
se spíše lineární závislosti.2-2
54
.2.1 )
kde přiložené napětí náboj elektronu Boltzmanova konstanta teplota ve
°K, tzv. Příčiny jsou způsobeny konečnými odpory kontaktů diody a
vysokou injekcí minoritních nosičů tedy změnou počtu nosičů majoritních. 2. saturační proud diody protékající proud. silně dopovaných přechodech může být elektrické pole tak silné až
107 V/cm ruší vazby elektronů, což kvantová teorie modeluje tzv.2 Polovodičové diody
Ideální charakteristiku polovodičové diody možné odvodit tvaru
r ^
= 2. Charakteristika zobrazena na
dalším obrázku spolu charakteristikou reálné diody. tunelovým
jevem objevil Zener toho název Zenerovy diody pro oba typy.tomto případě tečou pouze velice malé proudy minoritních nosičů tyto proudy pro větší
V prakticky jeho velikosti nebudou závislé.
vého
proudu.
Toto tedy vysvětlení základních fyzikálních dějů přechodu čili
v
2.
Jednocestný usměrňovač
Obr.
b/ V
oblasti dochází k
vzrůstu proudu
