Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 52 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
tomto případě tečou pouze velice malé proudy minoritních nosičů tyto proudy pro větší V prakticky jeho velikosti nebudou závislé.2-2 54 . vého proudu. silně dopovaných přechodech může být elektrické pole tak silné až 107 V/cm ruší vazby elektronů, což kvantová teorie modeluje tzv.2. Reálná dioda oproti ideální liší hlavně dvou oblastech : a/ oblasti přímého směru pro velké proudy přestává být charakteristika exponenciální blíží se spíše lineární závislosti. b/ V oblasti dochází k vzrůstu proudu.1 ) kde přiložené napětí náboj elektronu Boltzmanova konstanta teplota ve °K, tzv. Toto tedy vysvětlení základních fyzikálních dějů přechodu čili v 2. 2. tunelovým jevem objevil Zener toho název Zenerovy diody pro oba typy.2 Polovodičové diody Ideální charakteristiku polovodičové diody možné odvodit tvaru r ^ = 2. Jednocestný usměrňovač Obr. Příčiny jsou způsobeny konečnými odpory kontaktů diody a vysokou injekcí minoritních nosičů tedy změnou počtu nosičů majoritních. Charakteristika zobrazena na dalším obrázku spolu charakteristikou reálné diody. saturační proud diody protékající proud