2 Výpočet napěťového namáhání Schottkyho diody
Dioda musí principu době magnetizace transformátoru „blokovat“ průchod
proudu sekundárem.6.
Hodnota složek RSCH =10 CSCH =4,7 nF.
(54)
Byla vybrána dioda pouzdře TO220 FP.3 Ochrana proti přepětí Schottkyho diody
Schottkyho dioda bude obdobně jako tranzistor vybavena článkem, který bude
v sérii sekundárním vinutím transformátoru tvořit rezonanční RLC obvod.
Dovolená hodnota zvlnění napětí byla stanovena jako ∆UC2=0,1 V. Maximální souvislý proud diody IF= A
a závěrné napětí VRPM=100 Dioda tedy měla snést napěťové (překmity) proudové
namáhání běžném provozu nabíječky.6. závěrném směru namáhána napětím UDIODE, jehož směr a
velikost plyne Kirchhoffova, který popisuje vztah (54):
Obrázek 3. Hodnoty článku stanovena základě
zkušenosti, ale možné, bude třeba doladit při realizaci. Napěťové překmity jsou
způsobeny velkou strmostí proudu okamžiku začátku demagnetizace (velké di/dt). RC
článek bude tlumit napěťové překmity, které vzniknou, když tranzistor primární straně
vypne, otočí polarita napětí Schottkyho dioda začne vést.
3.4 Výpočet filtračního kondenzátoru C7
Filtrační kondenzátor navrhnut tak, abychom výstupu dosáhli požadované
střední hodnoty napětí Uout=14,4 minimálním (dovoleným) zvlněním výstupu.9 Napěťové namáhání Schottkyho diody sekundární straně době
magnetizace primárního vinutí
𝑈𝐷𝐼𝑂𝐷𝐸 𝑈𝑂𝑢𝑡 𝑈1
𝑁2
𝑁1
+ 𝑈𝑂𝑢𝑡 300
4
36
+ 14,4 47,73 𝑉.41
3.6.
.
3
