Nabíječka autobaterií

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Vydal: Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně

Strana 39 z 84

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
1 kapitole 3. Indukčnost těžké přesně vypočítat, bude efektivnější překmit změřit při realizaci měniče hodnoty článku postupně iterovat, bude amplituda zatlumení překmitu dostatečně přijatelné. . Celková výkonová ztráta MOSFETu bude mít velikost: 𝑃𝑇,𝑧𝑡𝑟 𝑃𝑇,𝑣𝑜𝑑 𝑃𝑝ř 1,5 2,5 (51) 3. Pro omezení tohoto překmitu bude použit člen, který v sériové kombinaci parazitní indukčností tvoří sériový rezonanční RLC obvod. Hodnoty RQ1 CQ1 budou tedy odladěny podle znalosti reálného průběhu.4.4, tranzistoru vznikne jeho zavřením ukončení magnetizace napěťový překmit vlivem parazitní rozptylové indukčnosti transformátoru Lσ. Při realizaci byl článek nahrazen DRC článkem, viz podkapitola Chyba! N enalezen zdroj odkazů..38 𝑃𝑝ř 100 103 ∙ 1 4 ∙ 428,6 2,26 (48 14) 10−9 = 1,5 𝑊. Díky přítomnosti odporu RQ1 bude překmit zatlumen, ideálně kriticky, avšak tento odpor bude zároveň představovat nezanedbatelnou výkonovou ztrátu [1].2 Ochrana tranzistoru proti přepětí Jak bylo popsáno podkapitole 2.2