1 kapitole 3.2 Ochrana tranzistoru proti přepětí
Jak bylo popsáno podkapitole 2. Pro omezení tohoto překmitu bude použit člen, který
v sériové kombinaci parazitní indukčností tvoří sériový rezonanční RLC obvod.2.4.. Díky
přítomnosti odporu RQ1 bude překmit zatlumen, ideálně kriticky, avšak tento odpor bude
zároveň představovat nezanedbatelnou výkonovou ztrátu [1].38
𝑃𝑝ř 100 103
∙
1
4
∙ 428,6 2,26 (48 14) 10−9
= 1,5 𝑊.
Celková výkonová ztráta MOSFETu bude mít velikost:
𝑃𝑇,𝑧𝑡𝑟 𝑃𝑇,𝑣𝑜𝑑 𝑃𝑝ř 1,5 2,5 (51)
3.
Při realizaci byl článek nahrazen DRC článkem, viz podkapitola Chyba! N
enalezen zdroj odkazů.4, tranzistoru vznikne jeho
zavřením ukončení magnetizace napěťový překmit vlivem parazitní rozptylové
indukčnosti transformátoru Lσ. Hodnoty
RQ1 CQ1 budou tedy odladěny podle znalosti reálného průběhu.
. Indukčnost těžké
přesně vypočítat, bude efektivnější překmit změřit při realizaci měniče hodnoty článku
postupně iterovat, bude amplituda zatlumení překmitu dostatečně přijatelné
