2 Ochrana tranzistoru proti přepětí
Jak bylo popsáno podkapitole 2.38
𝑃𝑝ř 100 103
∙
1
4
∙ 428,6 2,26 (48 14) 10−9
= 1,5 𝑊. Hodnoty
RQ1 CQ1 budou tedy odladěny podle znalosti reálného průběhu.
.4, tranzistoru vznikne jeho
zavřením ukončení magnetizace napěťový překmit vlivem parazitní rozptylové
indukčnosti transformátoru Lσ. Pro omezení tohoto překmitu bude použit člen, který
v sériové kombinaci parazitní indukčností tvoří sériový rezonanční RLC obvod.1 kapitole 3. Indukčnost těžké
přesně vypočítat, bude efektivnější překmit změřit při realizaci měniče hodnoty článku
postupně iterovat, bude amplituda zatlumení překmitu dostatečně přijatelné.. Díky
přítomnosti odporu RQ1 bude překmit zatlumen, ideálně kriticky, avšak tento odpor bude
zároveň představovat nezanedbatelnou výkonovou ztrátu [1].2.
Celková výkonová ztráta MOSFETu bude mít velikost:
𝑃𝑇,𝑧𝑡𝑟 𝑃𝑇,𝑣𝑜𝑑 𝑃𝑝ř 1,5 2,5 (51)
3.
Při realizaci byl článek nahrazen DRC článkem, viz podkapitola Chyba! N
enalezen zdroj odkazů.4
