Strana 10 z 84
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
.........................9 Napěťové namáhání Schottkyho diody sekundární straně době magnetizace primárního vinutí
.................................3 Vnitřní zapojení integrovaného obvodu TL431 (vlevo) jeho implementace obvodu, převzato z
[10]...72
.......................................51
4...................7 DRC utlumovací článek primární straně měniče....................................................................................13 Graf zatěžovací U-I charakteristiky výkonu nabíječky ..............................................................................................................................39
3.....65
5.......................................2 Vnitřní zapojení obvodu UC3844, převzato [9] ......................................................69
5..............................................21
3...........................2 Vyrobená DPS, pohled vrchní (nahoře) spodní stranu desky ...............................46
4......2 I-U nabíjecí křivka AGM akumulátoru, převzato [6] .........................................56
4..........64
5............................................................................66
5.........3 Osazení DPS pohled vrchní část DPS (nahoře) spodní část (dole) .42
3....................................59
5..........................................................23
3.............................................................................4 Princip napájení UC3844 pomocí pomocného vinutí impulsního transformátoru obrázku
značeno NA) startovacího obvodu, převzato [10]..............8 Schéma vstupního odrušovacího filtru, převzato [8] ......................15
2...............................49
4..........62
5.............................................................10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během pracovní periody Schottkyho
diodě při zatížení 0,5·Iz ................................10 Zjednodušené principiální schéma zapojení sekundární strany měniče filtračním kondenzátorem
C2..................................................................................1 Schéma zapojení jednočinného blokující měnič .........................................20
2..........................................8 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 použitím DRC snubberu.........................................................27
3.....................5 Schéma vstupního dvoupulzního usměrňovače sběracím kondenzátorem.................9 Průběhy střídy PWM (modrá), napětí UDS (červená) napětí Schottkyho diodě (zelená) při
jmenovitém (nahoře) zhruba polovičním zatížení nabíječky..........................................68
5.............13 Ochranný obvod přepólování, principiální zapojení ........................................................12 Záběr termokamerou dolní stranu DPS......................43
3......61
5.................................................................3 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s=smax, převzato upraveno [1] .......................18
2..................................................................................................................70
5...............45
3.....................6 Průběh napětí výstupních svorkách sběracího kondenzátoru ..............24
3...................5 Schéma zapojení měniče, včetně silových, řídicích indikačních obvodů, kterého přímo vychází
realizovaná nabíječka ...........................................................................................................................5 Spínací pulzy PWM, měřené hradle (gate) tranzistoru MOSFET ..................3 Tvar rozměry feritového jádra ETD34/17/11, převzato upraveno [7]....................................1 Schéma olověného článku, převzato [4]...................................52
4......7 článek tvořený prvky RQ1 CQ1 pro zatlumení napěťového překmitu tranzistoru..........................4 Laboratorní pracoviště vytvořené pro oživování měření měniči .....................................................39
3....................................1 Principiální schéma zapojení řídicích obvodů, převzato [1].........................71
5............................................32
3...........................................1 Umístění transformátoru obvodu měniče ...............................................................4 Tvar rozměry kostry transformátoru pro vertikální uložení feritového jádra ETD34/17/11,
převzato [7]..........1 Schéma DPS software KiCad 9.......63
5................67
5....................12 Schéma odrušovacího filtru výstupu měniče...................9
SEZNAM OBRÁZKŮ
1................12
1........11 Průběhy napětí proudů filtračním kondenzátoru C7..........2 Spřažený tok transformátoru při podmínce ψmin (nahoře) ψmin >0, převzato upraveno [1] .....................................41
3........31
3...............................................28
3...............................6 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 před zásahem článku (nahoře) po
zvýšení hodnoty RQ1 470 (dole)...................................................................................................58
5..........14 Tepelné schéma jedné součástky jednom chladiči.................................11 Záběr termokamerou horní stranu DPS........................44
3.......................................................................................................2 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s<smax, převzato upraveno [1] .........
