Strana 10 z 84
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
..........5 Schéma vstupního dvoupulzního usměrňovače sběracím kondenzátorem..............................................................2 Spřažený tok transformátoru při podmínce ψmin (nahoře) ψmin >0, převzato upraveno [1] .....................................10 Zjednodušené principiální schéma zapojení sekundární strany měniče filtračním kondenzátorem
C2...4 Tvar rozměry kostry transformátoru pro vertikální uložení feritového jádra ETD34/17/11,
převzato [7]........1 Umístění transformátoru obvodu měniče ......................27
3..........23
3.....................................................1 Schéma zapojení jednočinného blokující měnič .............46
4............13 Ochranný obvod přepólování, principiální zapojení ..............................................9
SEZNAM OBRÁZKŮ
1........64
5....................................................................................................................41
3.........................4 Princip napájení UC3844 pomocí pomocného vinutí impulsního transformátoru obrázku
značeno NA) startovacího obvodu, převzato [10]...............7 DRC utlumovací článek primární straně měniče.....14 Tepelné schéma jedné součástky jednom chladiči.................................72
............................................15
2................................5 Schéma zapojení měniče, včetně silových, řídicích indikačních obvodů, kterého přímo vychází
realizovaná nabíječka .........................................................................................32
3........................52
4.44
3..................................................................................................................................................................42
3.........3 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s=smax, převzato upraveno [1] .........................................................8 Schéma vstupního odrušovacího filtru, převzato [8] ......39
3....................................................................3 Osazení DPS pohled vrchní část DPS (nahoře) spodní část (dole) ...........................43
3.......................................39
3.........................................................................................................................................69
5..............................................12
1........2 Vnitřní zapojení obvodu UC3844, převzato [9] .......................................................................10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během pracovní periody Schottkyho
diodě při zatížení 0,5·Iz ..62
5.............................................56
4.........28
3.................21
3.....................................3 Tvar rozměry feritového jádra ETD34/17/11, převzato upraveno [7].......................................................................................................18
2...12 Záběr termokamerou dolní stranu DPS.............................................24
3...............20
2.....................................................................63
5......59
5...................................................45
3.......................8 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 použitím DRC snubberu...............................................................2 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s<smax, převzato upraveno [1] ...............................71
5........................67
5..................................................................1 Principiální schéma zapojení řídicích obvodů, převzato [1].....49
4....................11 Průběhy napětí proudů filtračním kondenzátoru C7...........61
5..6 Průběh napětí výstupních svorkách sběracího kondenzátoru ........................................................................................5 Spínací pulzy PWM, měřené hradle (gate) tranzistoru MOSFET ....................9 Průběhy střídy PWM (modrá), napětí UDS (červená) napětí Schottkyho diodě (zelená) při
jmenovitém (nahoře) zhruba polovičním zatížení nabíječky..........3 Vnitřní zapojení integrovaného obvodu TL431 (vlevo) jeho implementace obvodu, převzato z
[10]..................................51
4................31
3.58
5......................................70
5............................................68
5.................................................................................4 Laboratorní pracoviště vytvořené pro oživování měření měniči ....................................................................13 Graf zatěžovací U-I charakteristiky výkonu nabíječky ...........12 Schéma odrušovacího filtru výstupu měniče............2 Vyrobená DPS, pohled vrchní (nahoře) spodní stranu desky ............1 Schéma DPS software KiCad 9............................66
5...............1 Schéma olověného článku, převzato [4]...................................2 I-U nabíjecí křivka AGM akumulátoru, převzato [6] ..........................................65
5.............................................................7 článek tvořený prvky RQ1 CQ1 pro zatlumení napěťového překmitu tranzistoru..................9 Napěťové namáhání Schottkyho diody sekundární straně době magnetizace primárního vinutí
...............................................6 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 před zásahem článku (nahoře) po
zvýšení hodnoty RQ1 470 (dole)...............................11 Záběr termokamerou horní stranu DPS...........................................
