Nabíječka autobaterií

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Vydal: Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně

Strana 10 z 84

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
.........................9 Napěťové namáhání Schottkyho diody sekundární straně době magnetizace primárního vinutí .................................3 Vnitřní zapojení integrovaného obvodu TL431 (vlevo) jeho implementace obvodu, převzato z [10]...72 .......................................51 4...................7 DRC utlumovací článek primární straně měniče....................................................................................13 Graf zatěžovací U-I charakteristiky výkonu nabíječky ..............................................................................................................................39 3.....65 5.......................................2 Vnitřní zapojení obvodu UC3844, převzato [9] ......................................................69 5..............................................21 3...........................2 Vyrobená DPS, pohled vrchní (nahoře) spodní stranu desky ...............................46 4......2 I-U nabíjecí křivka AGM akumulátoru, převzato [6] .........................................56 4..........64 5............................................................................66 5.........3 Osazení DPS pohled vrchní část DPS (nahoře) spodní část (dole) .42 3....................................59 5..........................................................23 3.............................................................................4 Princip napájení UC3844 pomocí pomocného vinutí impulsního transformátoru obrázku značeno NA) startovacího obvodu, převzato [10]..............8 Schéma vstupního odrušovacího filtru, převzato [8] ......................15 2...............................49 4..........62 5.............................................................10 Detail průběhu napětí tranzistoru MOSFET (nahoře) během pracovní periody Schottkyho diodě při zatížení 0,5·Iz ................................10 Zjednodušené principiální schéma zapojení sekundární strany měniče filtračním kondenzátorem C2..................................................................................1 Schéma zapojení jednočinného blokující měnič .........................................20 2..........................................8 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 použitím DRC snubberu.........................................................27 3.....................5 Schéma vstupního dvoupulzního usměrňovače sběracím kondenzátorem.................9 Průběhy střídy PWM (modrá), napětí UDS (červená) napětí Schottkyho diodě (zelená) při jmenovitém (nahoře) zhruba polovičním zatížení nabíječky..........................................68 5.............13 Ochranný obvod přepólování, principiální zapojení ........................................................12 Záběr termokamerou dolní stranu DPS......................43 3......61 5.................................................................3 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s=smax, převzato upraveno [1] .......................18 2..................................................................................................................70 5...............45 3.....................6 Průběh napětí výstupních svorkách sběracího kondenzátoru ..............24 3...................5 Schéma zapojení měniče, včetně silových, řídicích indikačních obvodů, kterého přímo vychází realizovaná nabíječka ...........................................................................................................................5 Spínací pulzy PWM, měřené hradle (gate) tranzistoru MOSFET ..................3 Tvar rozměry feritového jádra ETD34/17/11, převzato upraveno [7]....................................1 Schéma olověného článku, převzato [4]...................................52 4......7 článek tvořený prvky RQ1 CQ1 pro zatlumení napěťového překmitu tranzistoru..........................4 Laboratorní pracoviště vytvořené pro oživování měření měniči .....................................................39 3....................................1 Principiální schéma zapojení řídicích obvodů, převzato [1].........................71 5............................................32 3...........................................1 Umístění transformátoru obvodu měniče ...............................................................4 Tvar rozměry kostry transformátoru pro vertikální uložení feritového jádra ETD34/17/11, převzato [7]..........1 Schéma DPS software KiCad 9.......63 5................67 5....................12 Schéma odrušovacího filtru výstupu měniče...................9 SEZNAM OBRÁZKŮ 1................12 1........11 Průběhy napětí proudů filtračním kondenzátoru C7..........2 Spřažený tok transformátoru při podmínce ψmin (nahoře) ψmin >0, převzato upraveno [1] .....................................41 3........31 3...............................................28 3...............................6 Napěťový překmit tranzistoru (červená) při Uf=120 před zásahem článku (nahoře) po zvýšení hodnoty RQ1 470 (dole)...................................................................................................58 5..........14 Tepelné schéma jedné součástky jednom chladiči.................................11 Záběr termokamerou horní stranu DPS........................44 3.......................................................................................................2 Průběh důležitých veličin blokujícím měniči při s<smax, převzato upraveno [1] .........