Kniha sa zaoberá problematikou konštruovania výkonových polovodičových meničov. Rozoberá špecifické črty konštrukcie meničov z hľadiska požiadaviek noriem a predpisov, potrieb používateľov a technológie výroby. Podrobne sú v nej opísané základné súčasti a bloky meničov, problémy chladenia, unifikácie konštrukcií, montáže, údržby a revízie.Knihu uzatvárajú typické príklady použitia výkonových polovodičových meničov v praxi.Určená je inžinierom a technikom, ktorí sa oboznamujú s problematikou stavby výkonových polovodičových meničov, pracovníkom údržby, revíznym technikom, konštruktérom, projektantom a energetikom v priemysle. Môže poslúžiť aj ako príručka pre študentov stredných odborných a vysokých škôl.
39.
Integrované výkonové polovodičové súčiastky, pre ktoré ustálil
v Európe názov moduly, monolitické bloky plastu plochou bezpo-
tenciálovou kovovou (niekedy keramickou) základňou. Modul spravid
la obsahuje dve polovodičové štruktúry (diódy, tyristory, diódu tyristor)
zapojené obvykle série vyvedenými troma výkonovými svorkami
a prívodmi riadiacich elektród. vývodmi bázy emitora cez základňu (kolektor), tomto
prípade vývody opačnej strane plochá základňa môže ľahko
pripevniť chladič. Podstatnou výhodou týchto modulov
67
. obr.------------------- h
52___________________ _
Obr. výkonový tranzistor firmy
Semikron typ SKG 450V, maximálny stratový výkon
350 zosilnenie 100. rozdiel konštrukčného riešenia podľa
obr. pohľad výkonový tranzistor 250 A
800 firmy GENERAL ELECTRIC. Výkonový tranzistor SEMIKRON typ SKG 450 (350 W,
a 100) Darlingtonovom zapojení
je rozmerový náčrtok tranzistora SIPMOS (Siemens Power MOS) riade
ného elektrickým polom, typ BUZ 200 Tieto tranzistory
sa vyrábajú napätia 1000 veľmi jednoducho ich možno
zapojovať priamo paralelne. obr
