Kniha sa zaoberá problematikou konštruovania výkonových polovodičových meničov. Rozoberá špecifické črty konštrukcie meničov z hľadiska požiadaviek noriem a predpisov, potrieb používateľov a technológie výroby. Podrobne sú v nej opísané základné súčasti a bloky meničov, problémy chladenia, unifikácie konštrukcií, montáže, údržby a revízie.Knihu uzatvárajú typické príklady použitia výkonových polovodičových meničov v praxi.Určená je inžinierom a technikom, ktorí sa oboznamujú s problematikou stavby výkonových polovodičových meničov, pracovníkom údržby, revíznym technikom, konštruktérom, projektantom a energetikom v priemysle. Môže poslúžiť aj ako príručka pre študentov stredných odborných a vysokých škôl.
obr.
Integrované výkonové polovodičové súčiastky, pre ktoré ustálil
v Európe názov moduly, monolitické bloky plastu plochou bezpo-
tenciálovou kovovou (niekedy keramickou) základňou. obr. vývodmi bázy emitora cez základňu (kolektor), tomto
prípade vývody opačnej strane plochá základňa môže ľahko
pripevniť chladič. pohľad výkonový tranzistor 250 A
800 firmy GENERAL ELECTRIC. 39. Modul spravid
la obsahuje dve polovodičové štruktúry (diódy, tyristory, diódu tyristor)
zapojené obvykle série vyvedenými troma výkonovými svorkami
a prívodmi riadiacich elektród. rozdiel konštrukčného riešenia podľa
obr. výkonový tranzistor firmy
Semikron typ SKG 450V, maximálny stratový výkon
350 zosilnenie 100. Podstatnou výhodou týchto modulov
67
.------------------- h
52___________________ _
Obr. Výkonový tranzistor SEMIKRON typ SKG 450 (350 W,
a 100) Darlingtonovom zapojení
je rozmerový náčrtok tranzistora SIPMOS (Siemens Power MOS) riade
ného elektrickým polom, typ BUZ 200 Tieto tranzistory
sa vyrábajú napätia 1000 veľmi jednoducho ich možno
zapojovať priamo paralelne
