Konštrukcia výkonových polovodičových měničov

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá problematikou konštruovania výkonových polovodičových meničov. Rozoberá špecifické črty konštrukcie meničov z hľadiska požiadaviek noriem a predpisov, potrieb používateľov a technológie výroby. Podrobne sú v nej opísané základné súčasti a bloky meničov, problémy chladenia, unifikácie konštrukcií, montáže, údržby a revízie.Knihu uzatvárajú typické príklady použitia výkonových polovodičových meničov v praxi.Určená je inžinierom a technikom, ktorí sa oboznamujú s problematikou stavby výkonových polovodičových meničov, pracovníkom údržby, revíznym technikom, konštruktérom, projektantom a energetikom v priemysle. Môže poslúžiť aj ako príručka pre študentov stredných odborných a vysokých škôl.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik

Strana 61 z 328

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Schematické znázornenie konštrukcie, štruktúry polovodičového prechodu a značky najdôležitejších predstaviteľov výkonových polovodičových súčiastok a) dióda, tyristor, výkonový tranzistor závitovom konštrukčnom vyhotovení Tabletový tyristor firmy SEMIKRON SKT 1000 podlá obr. Vnútorný tepelný odpor tohto tyristora 0,025 K/W. 63 . 30a,b,c.K n P A a) ZT b) c) Obr. má vonkajší priemer jeho dovolená stredná hodnota prúdu je 1000 Opakovatelné špičkové závěrné napätie 400 1800 V