Elektrotechnické tabulky pro školu i praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...

Vydal: Europa-Sobotáles cz. s.r.o., Autor: Europa-Sobotáles cz. s.r.o. Dr. Ing. Gregor Häberle a kolektiv

Strana 90 z 457

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
. magnetorezistor Hallova sonda fotorezistor Peltierův článek Diody Hh - h teplotně závislá dioda (termodioda) dioda závislá na magnetickém poli (magnetodioda) tunelová dioda kapacitní dioda Shottkyho dioda - h - - äl\ b)^ -N- -E>h 2 - Zenerova dioda protisměrně zapojené Zenerovy diody a) luminiscenční dioda (LED) b) fotodioda detektor záření, např.Polovodičové součástky Sem iconductor com ponents 60617-5 (1997-08) Obecné části značek O t n , » i p obvod součástky (v případě potřeby) oblast polovo­ diče přívody bez usměrňu­ jících přechodů oblast ovlivňu­ jící oblast N oblast ovlivňu­ jící oblast P polovodičová dioda Funkční doplňky značek J j J1J aSv' S efekt průrazu a) jednom směru b) obou směrech a) Schottkyho efekt b) tunelový efekt zareni a) světelné b) ionizující Polovodičové součástky bez usm ěrňovacího působení * L.. pro záření y fotočlánek optočlen, zde s LED foto- tranzistorem B ipolární tranzistory E— C tranzistor NPN (E, jen pro vysvětlení) tranzistor PNP Schottkyho tranzistor dvoubázový tranzistor UJT s bází typu N fototranzistor PNP IGBT obohaco­ vaným kanálem N U nipolární tranzistory 7T L :e| fc Gate Sourcel Drain indukovaný kanál (obohacovaný typ) izolovaná gate (IG) FET závěrnou vrstvou s kanálem N (C, jen pro vysvětlení) L Tfí LL TFT FET závěrnou vrstvou kaná­ lem P GFET zabudo­ vaným kanálem N, substrát spo­ jený vnitřně se source FET induko­ vaným kanálem P vývodem substrátu FET zabudova ným izolovaným kanálem vývo­ dem substrátu Tyristory - 7 7 - X - - tyristor, obecně P-gate tyristor (běžný typ) N-gate tyristor vypínací tyristor GTO tyristorová tetroda zpětně vodivý P-gate tyristor napěťově řízený tyristor zpětně závěrná tyristorová dioda (čtyřvrstvová dioda) diak Triak (obousměrná ty­ ristorová trioda) ditriac