Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...
*
0,4
\ 0,2
Ip 0,1
0
- 0,1
I. Články, CdS
se používají expozimet-
rech. výko
nových optočlenech
společně LED nebo
IRED.
Paralelním spojováním
lze získat větší proud
a sériovým spojováním
vyšší napětí slunečních
baterií lze dosáhnout
výkonů několika kW.
Fototyristor
-800 -200 400 600
Světlem ovládané elek
tronické spínače ke
spínání velkých proudů
při velkém (nízkém do
1 000 napětí.
Pro měřicí účely,
v optočlenech,
při přenosu dat.v'mA
-
O
-CM -
Proud propustném
směru jisté
sepnutí při kHz,
ztrátový výkon 0,5 W.
Materiál: GaAs, GaAlAs.
Pro obvody stejnosm ěr
ného střídavého
proudu. Využívají
se optočlenech svě
telných závorách.
Využívají jako indiká
tory segmentových
displejích.Fotoelektronické součástky Photoelectronic com ponents
Značka,
referenční šipky
Typická charakteristika Parametry Využití
Fotoodpor, LDP (podle
Light Dependent Resistor)
Odpor (po s)
> MQ, odpor světla
< kQ, provozní napětí do
300 modulační kmitočet
« Hz, zatížitelnost do
500 mW.
A anoda, báze, kolektor, emitor, osvětlení, gate, kolektorový proud, proud propustném směru,
kzkratový proud, JRzpětný proud, katoda, Pvýkon, UB£ napětí báze-emitor, Uce napětí kolektor-emitor, napě-
naprázdno, dopředné napětí, L/Rzpětné napětí, účinnost
.
Solární články poly-
krystalického křemíku:
Uq 0,55 10
mW/cm2; %.
LED, IRED
A 50
- 1
J mA
1 ,;lx GaP
25
- i
-6 -2
i GaASP
1 3
Uf —
LED: provozní proud
do 100 mA, úbytek napětí
do podle typu (bar
vy).
IRED Infra Red Emitting
Diodě dioda vyzařující
infračerveně.
LED Light Emitting Diodě
= dioda vyzařující světlo.
h /
Napětí naprázdno při 1000 Ix
Si: 0,4 V,
GaAs: UQ« 0,9 V,
Se: 0,3 V.
Fotočlánek
Závěrné napětí ztrá
tový výkon 300 mW, mez
ní kmitočet 0,5 MHz,
optická citlivost až
500krát větší než
u fotodiod. Vyrábějí všech
barvách bílé ultrasvíti-
vé, mezní kmitočet
» MHz.
Fotodioda
Křemík nejcitlivější na
světlo vlnové délce 800
nm 850 (červené) a
germanium infračerve
né záření 1,5 jxm, provozní
napětí mezní i
točet MHz, ztrátový
výkon 100 mW, velká
teplotní závislost. Pro rozsah
viditelného světla články
CdS CdSe, pro infra
červený rozsah články
PbS InSb.
Přenos optických signá
lů, součást optočlenu,
světelné závory
