Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...
*
0,4
\ 0,2
Ip 0,1
0
- 0,1
I.
Materiál: GaAs, GaAlAs.v'mA
-
O
-CM -
Proud propustném
směru jisté
sepnutí při kHz,
ztrátový výkon 0,5 W.
LED, IRED
A 50
- 1
J mA
1 ,;lx GaP
25
- i
-6 -2
i GaASP
1 3
Uf —
LED: provozní proud
do 100 mA, úbytek napětí
do podle typu (bar
vy).
Pro obvody stejnosm ěr
ného střídavého
proudu.
Využívají jako indiká
tory segmentových
displejích. Vyrábějí všech
barvách bílé ultrasvíti-
vé, mezní kmitočet
» MHz.
A anoda, báze, kolektor, emitor, osvětlení, gate, kolektorový proud, proud propustném směru,
kzkratový proud, JRzpětný proud, katoda, Pvýkon, UB£ napětí báze-emitor, Uce napětí kolektor-emitor, napě-
naprázdno, dopředné napětí, L/Rzpětné napětí, účinnost
.
Přenos optických signá
lů, součást optočlenu,
světelné závory. výko
nových optočlenech
společně LED nebo
IRED.
LED Light Emitting Diodě
= dioda vyzařující světlo.
Fotodioda
Křemík nejcitlivější na
světlo vlnové délce 800
nm 850 (červené) a
germanium infračerve
né záření 1,5 jxm, provozní
napětí mezní i
točet MHz, ztrátový
výkon 100 mW, velká
teplotní závislost.
Fototyristor
-800 -200 400 600
Světlem ovládané elek
tronické spínače ke
spínání velkých proudů
při velkém (nízkém do
1 000 napětí. Články, CdS
se používají expozimet-
rech.
h /
Napětí naprázdno při 1000 Ix
Si: 0,4 V,
GaAs: UQ« 0,9 V,
Se: 0,3 V. Využívají
se optočlenech svě
telných závorách.
Paralelním spojováním
lze získat větší proud
a sériovým spojováním
vyšší napětí slunečních
baterií lze dosáhnout
výkonů několika kW. Pro rozsah
viditelného světla články
CdS CdSe, pro infra
červený rozsah články
PbS InSb.
IRED Infra Red Emitting
Diodě dioda vyzařující
infračerveně.
Pro měřicí účely,
v optočlenech,
při přenosu dat.
Fotočlánek
Závěrné napětí ztrá
tový výkon 300 mW, mez
ní kmitočet 0,5 MHz,
optická citlivost až
500krát větší než
u fotodiod.Fotoelektronické součástky Photoelectronic com ponents
Značka,
referenční šipky
Typická charakteristika Parametry Využití
Fotoodpor, LDP (podle
Light Dependent Resistor)
Odpor (po s)
> MQ, odpor světla
< kQ, provozní napětí do
300 modulační kmitočet
« Hz, zatížitelnost do
500 mW.
Solární články poly-
krystalického křemíku:
Uq 0,55 10
mW/cm2; %
