Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...
Fotoelektronické součástky Photoelectronic com ponents
Značka,
referenční šipky
Typická charakteristika Parametry Využití
Fotoodpor, LDP (podle
Light Dependent Resistor)
Odpor (po s)
> MQ, odpor světla
< kQ, provozní napětí do
300 modulační kmitočet
« Hz, zatížitelnost do
500 mW.
Solární články poly-
krystalického křemíku:
Uq 0,55 10
mW/cm2; %. výko
nových optočlenech
společně LED nebo
IRED.
Fotodioda
Křemík nejcitlivější na
světlo vlnové délce 800
nm 850 (červené) a
germanium infračerve
né záření 1,5 jxm, provozní
napětí mezní i
točet MHz, ztrátový
výkon 100 mW, velká
teplotní závislost.
Přenos optických signá
lů, součást optočlenu,
světelné závory.
Pro obvody stejnosm ěr
ného střídavého
proudu.
LED, IRED
A 50
- 1
J mA
1 ,;lx GaP
25
- i
-6 -2
i GaASP
1 3
Uf —
LED: provozní proud
do 100 mA, úbytek napětí
do podle typu (bar
vy).
Využívají jako indiká
tory segmentových
displejích.
A anoda, báze, kolektor, emitor, osvětlení, gate, kolektorový proud, proud propustném směru,
kzkratový proud, JRzpětný proud, katoda, Pvýkon, UB£ napětí báze-emitor, Uce napětí kolektor-emitor, napě-
naprázdno, dopředné napětí, L/Rzpětné napětí, účinnost
. Vyrábějí všech
barvách bílé ultrasvíti-
vé, mezní kmitočet
» MHz.
Fototyristor
-800 -200 400 600
Světlem ovládané elek
tronické spínače ke
spínání velkých proudů
při velkém (nízkém do
1 000 napětí.
LED Light Emitting Diodě
= dioda vyzařující světlo. Články, CdS
se používají expozimet-
rech.
Fotočlánek
Závěrné napětí ztrá
tový výkon 300 mW, mez
ní kmitočet 0,5 MHz,
optická citlivost až
500krát větší než
u fotodiod. Využívají
se optočlenech svě
telných závorách.
IRED Infra Red Emitting
Diodě dioda vyzařující
infračerveně.
Pro měřicí účely,
v optočlenech,
při přenosu dat.
*
0,4
\ 0,2
Ip 0,1
0
- 0,1
I. Pro rozsah
viditelného světla články
CdS CdSe, pro infra
červený rozsah články
PbS InSb.v'mA
-
O
-CM -
Proud propustném
směru jisté
sepnutí při kHz,
ztrátový výkon 0,5 W.
h /
Napětí naprázdno při 1000 Ix
Si: 0,4 V,
GaAs: UQ« 0,9 V,
Se: 0,3 V.
Paralelním spojováním
lze získat větší proud
a sériovým spojováním
vyšší napětí slunečních
baterií lze dosáhnout
výkonů několika kW.
Materiál: GaAs, GaAlAs
