Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...
náhradní
zapojení
P
I N
P S
i
JFET jako omezovač
proudu
Stabilizátory,
omezovače proudu.
D IG1 IG2
j |
__
I Su
Dual-Gate IGFET
s kanálem N
Zesilovače
a směšovače signálů
do 300 MHz.
IGFET zabudova
ným kanálem N
^GS
■Su
IGFET indukovaným
kanálem P
■Su ~Id
^DS
Zesilovače, zvláště
vstupní stupně,
vf zesilovače,
regulační členy,
výkonové zesilovače. 220
IGBT
^GE
UCE
IGBT zkratka Insula
ted Gate Bipolar
Transistor bipolární
tranzistor izolovanou
gate.Tranzistory řízené polem (FET), IGBT Field ffe transistors, IGBT
Princip,
Označení
Pouzdro
(příklady)
Značka,
referenční šipky
Typická charakteristika
Použití,
speciální typy
J-FET
U GS
ov
-2V
-4V
Zesilovače,
spínací obvody,
mikrofonní předzesilovač,
vf zesilovače,
oscilátory,
krystalové oscilátory,
směšovací zesilovače,
nastavovací členy
regulátorů. V,
L/r 600 kA,
kmitočty kHz.
A anoda, drain, gate, izolace oxidem katoda, dotace silná dotace dotace silná
dotace source, substrát
.
např.
Typické mezní hodno
ty pro výkonový
zesilovač:
UDS V
UGS V
I A
maximální ztrátový
výkon
Ptot W
Jsou obsaženy ope
račních zesilovačích
a integrovaných
obvodech.
Moduly IGBT
obsahují často zpětné
ochranné diody
