Elektrotechnické tabulky pro školu i praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...

Vydal: Europa-Sobotáles cz. s.r.o., Autor: Europa-Sobotáles cz. s.r.o. Dr. Ing. Gregor Häberle a kolektiv

Strana 60 z 457

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Moduly IGBT obsahují často zpětné ochranné diody. D IG1 IG2 j | __ I Su Dual-Gate IGFET s kanálem N Zesilovače a směšovače signálů do 300 MHz. Typické mezní hodno­ ty pro výkonový zesilovač: UDS V UGS V I A maximální ztrátový výkon Ptot W Jsou obsaženy ope­ račních zesilovačích a integrovaných obvodech. náhradní zapojení P I N P S i JFET jako omezovač proudu Stabilizátory, omezovače proudu. IGFET zabudova­ ným kanálem N ^GS ■Su IGFET indukovaným kanálem P ■Su ~Id ^DS Zesilovače, zvláště vstupní stupně, vf zesilovače, regulační členy, výkonové zesilovače. V, L/r 600 kA, kmitočty kHz. 220 IGBT ^GE UCE IGBT zkratka Insula­ ted Gate Bipolar Transistor bipolární tranzistor izolovanou gate. A anoda, drain, gate, izolace oxidem katoda, dotace silná dotace dotace silná dotace source, substrát .Tranzistory řízené polem (FET), IGBT Field ffe transistors, IGBT Princip, Označení Pouzdro (příklady) Značka, referenční šipky Typická charakteristika Použití, speciální typy J-FET U GS ov -2V -4V Zesilovače, spínací obvody, mikrofonní předzesilovač, vf zesilovače, oscilátory, krystalové oscilátory, směšovací zesilovače, nastavovací členy regulátorů. např