Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...
Moduly IGBT
obsahují často zpětné
ochranné diody. V,
L/r 600 kA,
kmitočty kHz.
A anoda, drain, gate, izolace oxidem katoda, dotace silná dotace dotace silná
dotace source, substrát
.
náhradní
zapojení
P
I N
P S
i
JFET jako omezovač
proudu
Stabilizátory,
omezovače proudu.Tranzistory řízené polem (FET), IGBT Field ffe transistors, IGBT
Princip,
Označení
Pouzdro
(příklady)
Značka,
referenční šipky
Typická charakteristika
Použití,
speciální typy
J-FET
U GS
ov
-2V
-4V
Zesilovače,
spínací obvody,
mikrofonní předzesilovač,
vf zesilovače,
oscilátory,
krystalové oscilátory,
směšovací zesilovače,
nastavovací členy
regulátorů.
D IG1 IG2
j |
__
I Su
Dual-Gate IGFET
s kanálem N
Zesilovače
a směšovače signálů
do 300 MHz.
IGFET zabudova
ným kanálem N
^GS
■Su
IGFET indukovaným
kanálem P
■Su ~Id
^DS
Zesilovače, zvláště
vstupní stupně,
vf zesilovače,
regulační členy,
výkonové zesilovače.
např.
Typické mezní hodno
ty pro výkonový
zesilovač:
UDS V
UGS V
I A
maximální ztrátový
výkon
Ptot W
Jsou obsaženy ope
račních zesilovačích
a integrovaných
obvodech. 220
IGBT
^GE
UCE
IGBT zkratka Insula
ted Gate Bipolar
Transistor bipolární
tranzistor izolovanou
gate
