Elektrotechnické tabulky pro školu i praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Elektrotechnické tabulky obsahují velké množství údajů nepostradatelných při výuce na odborných středních školách i v praxi. Jsou překladem 21. vydání, doplněným a upraveným potřebným způsobem v těch oddílech, kde se české předpisy a technické normy dosud liší od předpisů a ustanovení platných v SRN a EU. Při velkém množství shrnutých informací je v tabulkách kladen důraz hlavně na přehlednost a srozumitelnost. Kniha je rozčleněna do následujících částí: část M (matematika, fyzika, elektrické obvody, součástky) ...

Vydal: Europa-Sobotáles cz. s.r.o., Autor: Europa-Sobotáles cz. s.r.o. Dr. Ing. Gregor Häberle a kolektiv

Strana 60 z 457

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Typické mezní hodno­ ty pro výkonový zesilovač: UDS V UGS V I A maximální ztrátový výkon Ptot W Jsou obsaženy ope­ račních zesilovačích a integrovaných obvodech.Tranzistory řízené polem (FET), IGBT Field ffe transistors, IGBT Princip, Označení Pouzdro (příklady) Značka, referenční šipky Typická charakteristika Použití, speciální typy J-FET U GS ov -2V -4V Zesilovače, spínací obvody, mikrofonní předzesilovač, vf zesilovače, oscilátory, krystalové oscilátory, směšovací zesilovače, nastavovací členy regulátorů. V, L/r 600 kA, kmitočty kHz. 220 IGBT ^GE UCE IGBT zkratka Insula­ ted Gate Bipolar Transistor bipolární tranzistor izolovanou gate. Moduly IGBT obsahují často zpětné ochranné diody. D IG1 IG2 j | __ I Su Dual-Gate IGFET s kanálem N Zesilovače a směšovače signálů do 300 MHz. A anoda, drain, gate, izolace oxidem katoda, dotace silná dotace dotace silná dotace source, substrát . IGFET zabudova­ ným kanálem N ^GS ■Su IGFET indukovaným kanálem P ■Su ~Id ^DS Zesilovače, zvláště vstupní stupně, vf zesilovače, regulační členy, výkonové zesilovače. náhradní zapojení P I N P S i JFET jako omezovač proudu Stabilizátory, omezovače proudu. např