57
Fotodioda PIN
konstruována tak, aby převážná část záření byla pohlcována
v oblasti (šířka 100µm)
oblast I
• může mít řádů větší měrný odpor než přilehlé
oblasti
• poměrně silné elektrostatické pole, které urychluje
nosiče náboje vzniklé důsledku absorpce fotonů
zmenšení kapacity pF
vlastnosti
o maximum citlivosti 0,6A/m pro λ=0,9µm
o proud tmy 10-8
A
o mezní kmitočty 100MHz
ND–NA koncentrace příměsí
ρ(x) hustota prostorového náboje
E(x) intenzita elektrostatického pole
