skupiny (S, Se, Te)
P-GaAs získá dotací prvkem II. skupiny (Zn)
o kvantová účinnost 0,2 2%
při dotaci křemíkem (Si) amfoterní příměs (vytváří buď
donory nebo akceptory, podle toho, který základní prvek
nahrazuje)
o kvantová účinnost asi 6%
o větší rychlost odezvy
.51
Vlastnosti materiálů pro zdroje záření
vhodná šířka zakázaného pásu (určuje vlnovou délku
emitovaného záření)
jednoduchá levná technologie přípravy materiálu
přímé mezipásové přechody (velká účinnost zářivé
rekombinace)
chemická stálost odolnost
možnost přípravy obou typů vodivosti pro vytvoření přechodu
PN
možnost legování vhodnými příměsemi pro vznik záření
s požadovanou vlnovou délkou
používané sloučeniny
o binární AIII
BV
(GaAs, InP, GaP)
o ternární (GaAsP, GaAlAs, InGaP)
o kvartenární (GaInAsP)
Diody přímými přechody zhotovené GaAs
šířka zakázaného pásu 1,43eV při 300K
vyzařují infračervené oblasti 0,9µm)
pro optické komunikační systémy
vyzářený výkon 1mW ∼10mW při budícím proudu 100mA
N-GaAs získá dotací prvkem VI
