49
polovodiče
o přímým přechodem
GaAs
GaP
InP
o nepřímým přechodem malá kvantová účinnost (0,1-1%)
Si
Ge
GaP
kvantová účinnost poměr počtu vyzářených fotonů počtu
elektronů prošlých přechodem
aby materiál generoval optické záření, musíme vybudit
(porušit jeho termickou rovnováhu)
o fotoluminiscence vybuzení světelným zářením
o elektroluminiscence elektrickým polem (např. injekcí
nosičů přes přechod PN)
o katodoluminiscence elektronovým svazkem
