32
JFET (Junction Field Effect Transistor)
unipolární tranzistor přechodovým hradlem plošným
přechodem PN)
proud zprostředkován nosiči jednoho znaménka (pouze
elektrony nebo pouze děrami) unipolární
představuje souvislou strukturu tvořenou polovodivými
materiály různou vodivostí
1 kanál, vodivost (majoritními nosiči jsou elektrony)
2 přímokontaktní vrstvy vodivostí N+
3 silně dotované vrstvy P+
4 ochuzená vrstva přechodu P+
N
elektrody jsou označeny (source nebo E-emitor)
D (Drain nebo C-kolektor)
G (Gate hradlo)
o přechody P+
N nazývají hradlové (G)
o přechod NN+
(S) injektuje při vhodné polaritě připojeného
napětí oblasti kanálu (1) majoritní nosiče náboje
o přechod N+
N (D) polarizuje závěrného směru
tranzistor bez řídícího napětí uGS
o vlivem difúzního napětí vytvoří rovnoměrně široké
ochuzené oblasti (4)
