30
2.1.
Gunnova dioda
neobsahuje přechod PN
homogenní monokrystal polovodiče opatřen
neusměrňujícími kontakty
voltampérová charakteristika
o proudová hustota
o intenzita elektrického pole
o oblast záporného diferenciálního odporu
použití generátorech zesilovačích mikrovlnném pásmu do
100GHz, výstupní výkony řádově 100mW
.5 Součástky objemovými jevy
Objemový jev změna objemové vodivosti monokrystalického
polovodiče
