.19
o při napětí nestačí vrstva průběhu kladné
půlperiody zaplnit nosiči dioda představuje vysokou
impedanci nezávislou přivedeném výkonu
vlastnosti
o doba života nosičů oblasti kritický kmitočet diody
fc 1/2πτ
pro PIN chová jako obyčejná dioda
s přechodem (signál bude usměrněn zkreslen
v závislosti nelinearitě charakteristiky)
pro PIN chová jako lineární odpor malou
nelineární složkou mírné zkreslení signálu
pro PIN chová jako lineární odpor, jehož
velikost lze řídit přiloženým napětím
o vyrábějí Si, základ tvoří vrstva níž difundují
nebo implantují vrstvy N+
a P+
