17
Tunelová (Esakiho) dioda
v určité části své charakteristiky vykazuje záporný
diferenciální odpor
přechod P+
N+
, vyrobený silně dotovaných (degenerovaných)
polovodičů
mezi body oblast záporného diferenciálního odporu tzv.
tunelového proudu
elektrony tunelového proudu procházejí přechodem téměř
rychlostí světla obvody tunelovými diodami mohou
pracovat kmitočtů řádu 100GHz)
negativní diferenciální odpor nezávislý teplotě jen velmi
málo kmitočtu
poměr vrcholového důlového proudu závisí materiálu
o 5:1 15:1
o GaAs 20:1 65:1
o 3:1 (nepoužívá se)
vlastnosti charakteristika téměř nezávislá teplotě, malý
vlastní šum, spotřeba energie řádově µW, malý dosažitelný
výkon
tvar charakteristiky můžeme měnit snižováním koncentrace
příměsí
o inverzní dioda vhodná usměrňování malých napětí
(řádově 0,1V) extrémně vysokých kmitočtech
