Tab. Na
výstupu nejdříve nachází napěťový dělič tvořený odpory R10, který
snižuje výstupní napětí asi 1/5 (2,2 12,2 kQ).3 Oba odpory nastavuji
zesílení operačního
zesilovače 1000
Jak tedy pracuje operační zesilovač? nutno jej posuzovat společně odpory R6
a R7.1 tab.
Operační zesilovač nyní interně odečítá napětí neinvertujícím vstupu (ozna
čeném znaménkem napětí před odporem tento rozdíl 1000* zesiluje. Hodnota
odporu tedy určuje citlivost zapojení.2 dávají představu hodnotách osvětlení. Dioda nyní nerozsvítí, neboť
napětí mezi kolektorem emitorem tranzistoru činí jen několik desetin voltu
(saturační napětí) nestačí otevření tranzistoru T2. Nicméně malý proud teče plusu napájení diodou odporem
R12 báze tranzistoru T2. Je-li tato pětina výstupního
napětí větší než asi 0,7 což prahové napětí tranzistoru pak tento tranzis
tor otevře jeho kolektorovým proudem rozsvítí dioda LED. 4. Čím vyšší odpor, tím vyšší úbytek napětí při určitém
proudu tím menší fotoproud stačí vybuzení operačního zesilovače. tomto boduje výstupní napětí operačního zesilovače přesně V,
což díky zesílení odpovídá rozdílu vstupních napětí mV. Hodnoty odporů jsou odstupňovány logarit
.
Kromě fotoproudu závisí napětí neinvertujícím vstupu také připoje
ných odporech R1-R4. Tyto odpory nastavují zesílení obvodu operačním zesilovačem 1000:
10 lOkQ. dále znamená, stupnice
potenciometru může být ocejchována hodnotami fotoproudu nebo přímo hodnota
mi osvětlení luxech. 1je již známý
předřadný odpor omezující proud diodou LED. Diody tedy svítí střída
vě, pouze přesně určitém bodu přechodu mezi oběma provozními stavy jsou ak
tivní obě diody. 4. 4. Klesne-li napětí výstupu
OZ asi pod nestačí již jeho pětina děličem udržení tranzistoru ote
vřeném stavu. Tento proud sice nestačí rozsvítit diodu LED D3, ale
otevře tranzistor tím rozsvítí diodu LED D4.56
$
XIX BPW34
Fotoproud
D
Obi: 4.2
Měřicí napětí
Při osvícení tečefotodiodou proud
vzávěrném směru; vyvolává
úbytek napětí odporu
Obr. znamená, když
obě diody LED svítí, napětí přicházející potenciometru vždy pouhých mV
větší než napěťový úbytek vyvolaný fotoproudem
