Aktivní plocha čipu 0,25 mm2
Rozměry aktivní plochy čipu 0,5 0,5 mm
Vzdálenost povrchu čipu povrchu pouzdra 4,0-4,6 mm
Spínací doby
Ic %
(IF= 100 mA) tr>t, ps
Kapacita (VR= PF
Propustné napětí (IF= 100 mA) 1,30 (<1,5) V
(JF= A\tp= 100 ps) 1,9 (¿2,5) V
Průrazné napětí (IR= pA) Vbr (>5) V
Závěrný proud (VR= 0,01 10) pA
Teplotní koeficient Ivnebo <t>e -0,55 %/K
Teplotní koeficient napětí TCV -1,5 mWř
Teplotní koeficient A,peak TCX +0,3 nm/K
Zářivost směru osy
v steradiánu 0,01 sr, nebo 6,5 stupně
Zářivost 271 271 H
(If =100 mA, tp= ms) (>10) >16 mW/sr
(IF= ;tp= 100 ps) typ 100 typ 120 mW/sr
Celkový zářivý tok
(Ifr= 100 mA, ms) typ typ mW
.271
LD 271 H
Charakteristiky (TÁ= °C)
Délka vlny při špičkové emisi
(7/7= 100 mA, ms) 950 ±20 nm
Spektrální šířka pásma při proudu /,mx
(IF= 100 mA) nm
Uhel otevření ±25 deg
