Tyto obvody však nejsou zcela bezpro
blémové, neboť jejich komponenty musejí být jedné straně opravdu dostatečně
citlivé, aby reagovaly poměrně slabé ovládací proudy, druhé straně však na
tolik necitlivé, aby poruchy způsobované vysokými napětími proudy nevedly
k nežádoucím zapálením tyristoru.2
ukazuje principiální zapojení operačního zesilovače proudově řízenou regulací
zesílení. Tyristory často používají výkonové elektronice řízení střídavých prou
dů při vysokých napětích. Buď FET
působí jako zesilující součástka pak uplatní jeho příznivé charakteristiky
a relativně dobré šumové chování, avšak citlivost světlo malá.
. Tento rozpor jen velmi obtížně řešitelný. Zde nachází foto-tyristorový vazební člen (H11C; GE)
zajímavé uplatněni, např. Obr. Impulzem třetím vývodu
tyristoru možno otevřít diodu propustném směru. Přitom musí intenzita světla překročit dobu minimálně 30-50 určitý
práh. 9.2 Zesílení tohoto zapojení řídí proudem diody LED
Foto-tyristor foto-triak
Tyristor dioda, která uzavřena obou sněrech. Zde tvoří tranzistor foto-FET optočlenu odpor děliče napětí, který určuje
Řídicí vstup
Obr. 9.
v H1ÍF (General Electric) tedy dispozici proudově řízený odpor galvanickým
oddělením odporu řídicího obvodu. Řídicí proud teče diodou LED. Tyristor opět zavře, když
proud diodou klesne nulu. Neboje možnu
foto-FET stejně jako normální FET použít při nízkém buzení jako ovladatelný od
por, tomto případě řízený světlem.136
ne-li fotocitlivou diodu hradla světlo, teče proud proti závěrnému směru.
To platí ipro vazební člen foto-triakem (Hl 1J; GE). Triak možno rozdíl od
tyristoru otevírat obou směrech. chceme-li spínat proudy pomocí elektronických obvodů,
které pracují malými napětími (počítače). Tím sc
uvolní zaškrcení kanálu, světlo tedy zvyšuje proud odebíraný elektrodou drain. vazební verzi tranzistoru foto-FET, např. foto-tyristoru zapalovací impulz nahrazen osví
cením.
Tranzistor foto-FET možno použít dvou pracovních režimech
