v H1ÍF (General Electric) tedy dispozici proudově řízený odpor galvanickým
oddělením odporu řídicího obvodu.2 Zesílení tohoto zapojení řídí proudem diody LED
Foto-tyristor foto-triak
Tyristor dioda, která uzavřena obou sněrech. Zde tvoří tranzistor foto-FET optočlenu odpor děliče napětí, který určuje
Řídicí vstup
Obr. Tyristor opět zavře, když
proud diodou klesne nulu. 9. Impulzem třetím vývodu
tyristoru možno otevřít diodu propustném směru. Tyto obvody však nejsou zcela bezpro
blémové, neboť jejich komponenty musejí být jedné straně opravdu dostatečně
citlivé, aby reagovaly poměrně slabé ovládací proudy, druhé straně však na
tolik necitlivé, aby poruchy způsobované vysokými napětími proudy nevedly
k nežádoucím zapálením tyristoru.
To platí ipro vazební člen foto-triakem (Hl 1J; GE). Tento rozpor jen velmi obtížně řešitelný. Zde nachází foto-tyristorový vazební člen (H11C; GE)
zajímavé uplatněni, např. Obr.136
ne-li fotocitlivou diodu hradla světlo, teče proud proti závěrnému směru. Buď FET
působí jako zesilující součástka pak uplatní jeho příznivé charakteristiky
a relativně dobré šumové chování, avšak citlivost světlo malá. Neboje možnu
foto-FET stejně jako normální FET použít při nízkém buzení jako ovladatelný od
por, tomto případě řízený světlem. Řídicí proud teče diodou LED.2
ukazuje principiální zapojení operačního zesilovače proudově řízenou regulací
zesílení. Tím sc
uvolní zaškrcení kanálu, světlo tedy zvyšuje proud odebíraný elektrodou drain. Tyristory často používají výkonové elektronice řízení střídavých prou
dů při vysokých napětích.
Tranzistor foto-FET možno použít dvou pracovních režimech. chceme-li spínat proudy pomocí elektronických obvodů,
které pracují malými napětími (počítače).
. Triak možno rozdíl od
tyristoru otevírat obou směrech. foto-tyristoru zapalovací impulz nahrazen osví
cením. 9. Přitom musí intenzita světla překročit dobu minimálně 30-50 určitý
práh. vazební verzi tranzistoru foto-FET, např
