Zde nachází foto-tyristorový vazební člen (H11C; GE)
zajímavé uplatněni, např. Tyto obvody však nejsou zcela bezpro
blémové, neboť jejich komponenty musejí být jedné straně opravdu dostatečně
citlivé, aby reagovaly poměrně slabé ovládací proudy, druhé straně však na
tolik necitlivé, aby poruchy způsobované vysokými napětími proudy nevedly
k nežádoucím zapálením tyristoru. Tyristor opět zavře, když
proud diodou klesne nulu. Impulzem třetím vývodu
tyristoru možno otevřít diodu propustném směru. Tento rozpor jen velmi obtížně řešitelný. Řídicí proud teče diodou LED. chceme-li spínat proudy pomocí elektronických obvodů,
které pracují malými napětími (počítače). Neboje možnu
foto-FET stejně jako normální FET použít při nízkém buzení jako ovladatelný od
por, tomto případě řízený světlem.
v H1ÍF (General Electric) tedy dispozici proudově řízený odpor galvanickým
oddělením odporu řídicího obvodu. Triak možno rozdíl od
tyristoru otevírat obou směrech. foto-tyristoru zapalovací impulz nahrazen osví
cením.2 Zesílení tohoto zapojení řídí proudem diody LED
Foto-tyristor foto-triak
Tyristor dioda, která uzavřena obou sněrech. Tyristory často používají výkonové elektronice řízení střídavých prou
dů při vysokých napětích.
To platí ipro vazební člen foto-triakem (Hl 1J; GE). 9. Buď FET
působí jako zesilující součástka pak uplatní jeho příznivé charakteristiky
a relativně dobré šumové chování, avšak citlivost světlo malá.
Tranzistor foto-FET možno použít dvou pracovních režimech. Zde tvoří tranzistor foto-FET optočlenu odpor děliče napětí, který určuje
Řídicí vstup
Obr.
.136
ne-li fotocitlivou diodu hradla světlo, teče proud proti závěrnému směru. Obr.2
ukazuje principiální zapojení operačního zesilovače proudově řízenou regulací
zesílení. vazební verzi tranzistoru foto-FET, např. Tím sc
uvolní zaškrcení kanálu, světlo tedy zvyšuje proud odebíraný elektrodou drain. 9. Přitom musí intenzita světla překročit dobu minimálně 30-50 určitý
práh
