Elektronika tajemství zbavená (4)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 135 z 190

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Buď FET působí jako zesilující součástka pak uplatní jeho příznivé charakteristiky a relativně dobré šumové chování, avšak citlivost světlo malá. Tyristory často používají výkonové elektronice řízení střídavých prou­ dů při vysokých napětích. foto-tyristoru zapalovací impulz nahrazen osví­ cením. chceme-li spínat proudy pomocí elektronických obvodů, které pracují malými napětími (počítače). . Tento rozpor jen velmi obtížně řešitelný. Neboje možnu foto-FET stejně jako normální FET použít při nízkém buzení jako ovladatelný od­ por, tomto případě řízený světlem. Tyto obvody však nejsou zcela bezpro­ blémové, neboť jejich komponenty musejí být jedné straně opravdu dostatečně citlivé, aby reagovaly poměrně slabé ovládací proudy, druhé straně však na­ tolik necitlivé, aby poruchy způsobované vysokými napětími proudy nevedly k nežádoucím zapálením tyristoru. Řídicí proud teče diodou LED. Tyristor opět zavře, když proud diodou klesne nulu. 9. 9. v H1ÍF (General Electric) tedy dispozici proudově řízený odpor galvanickým oddělením odporu řídicího obvodu. To platí ipro vazební člen foto-triakem (Hl 1J; GE). Zde nachází foto-tyristorový vazební člen (H11C; GE) zajímavé uplatněni, např.136 ne-li fotocitlivou diodu hradla světlo, teče proud proti závěrnému směru. Triak možno rozdíl od tyristoru otevírat obou směrech. Tím sc uvolní zaškrcení kanálu, světlo tedy zvyšuje proud odebíraný elektrodou drain. Obr.2 Zesílení tohoto zapojení řídí proudem diody LED Foto-tyristor foto-triak Tyristor dioda, která uzavřena obou sněrech. Impulzem třetím vývodu tyristoru možno otevřít diodu propustném směru.2 ukazuje principiální zapojení operačního zesilovače proudově řízenou regulací zesílení. Přitom musí intenzita světla překročit dobu minimálně 30-50 určitý práh. vazební verzi tranzistoru foto-FET, např. Zde tvoří tranzistor foto-FET optočlenu odpor děliče napětí, který určuje Řídicí vstup Obr. Tranzistor foto-FET možno použít dvou pracovních režimech