Tím sc
uvolní zaškrcení kanálu, světlo tedy zvyšuje proud odebíraný elektrodou drain. Impulzem třetím vývodu
tyristoru možno otevřít diodu propustném směru. Řídicí proud teče diodou LED. 9. Obr.
. Zde tvoří tranzistor foto-FET optočlenu odpor děliče napětí, který určuje
Řídicí vstup
Obr. 9.2 Zesílení tohoto zapojení řídí proudem diody LED
Foto-tyristor foto-triak
Tyristor dioda, která uzavřena obou sněrech. Tyristory často používají výkonové elektronice řízení střídavých prou
dů při vysokých napětích.136
ne-li fotocitlivou diodu hradla světlo, teče proud proti závěrnému směru. Triak možno rozdíl od
tyristoru otevírat obou směrech.
v H1ÍF (General Electric) tedy dispozici proudově řízený odpor galvanickým
oddělením odporu řídicího obvodu. Přitom musí intenzita světla překročit dobu minimálně 30-50 určitý
práh. chceme-li spínat proudy pomocí elektronických obvodů,
které pracují malými napětími (počítače).
To platí ipro vazební člen foto-triakem (Hl 1J; GE). Tyto obvody však nejsou zcela bezpro
blémové, neboť jejich komponenty musejí být jedné straně opravdu dostatečně
citlivé, aby reagovaly poměrně slabé ovládací proudy, druhé straně však na
tolik necitlivé, aby poruchy způsobované vysokými napětími proudy nevedly
k nežádoucím zapálením tyristoru.
Tranzistor foto-FET možno použít dvou pracovních režimech. Buď FET
působí jako zesilující součástka pak uplatní jeho příznivé charakteristiky
a relativně dobré šumové chování, avšak citlivost světlo malá. foto-tyristoru zapalovací impulz nahrazen osví
cením. Tento rozpor jen velmi obtížně řešitelný. Neboje možnu
foto-FET stejně jako normální FET použít při nízkém buzení jako ovladatelný od
por, tomto případě řízený světlem.2
ukazuje principiální zapojení operačního zesilovače proudově řízenou regulací
zesílení. Zde nachází foto-tyristorový vazební člen (H11C; GE)
zajímavé uplatněni, např. vazební verzi tranzistoru foto-FET, např. Tyristor opět zavře, když
proud diodou klesne nulu
