Elektronika tajemství zbavená (1) Pokusy se stejnosměrným proudem

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 84 z 114

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
9 mA), pak RDSje: 1V 1,9 mA' 527 íi . Při nízkých UDS FET chová jako nastavitelný odpor, který měnit napětím hradlo emitor. Proud IDje nastavován napětím hradlo emitor UGS. Vychází se tedy napětí UCE svisle směrem nahoru větev charakteristiky (iA. Charateristika FET Síť výstupních charakteristik tranzistoru FET (BF 245C) zobrazena obr. Když jsou přiložena rozdílná napětí UDS, mění kolektorový proud 1D jenom nepatrně. 177 mít při proudu báze výstupní napětí UCE= V.5 -2. identická charakteristikou křemíkové diody tohoto důvodu většinou zvlášť neuvádí. základě dia­ gramu stanovit odpor dráhy kolektor emitor. Jak velký musí být ? Rc vypočteme podle Ohmová zákona. Hledaný proud leží větvi proudu báze |iA.5 V I, Ic Ic zjistí pomocí charakteristiky. Při nižších charakteristiky ohýbají k nulovému bodu přecházejí více méně str­ mých přímek. Tato hodnota nyní dosadí 83 do Ohmová zákona: Rc= 2. Strmost přímek, charakteristická pro hodnotu od­ poru charakteristiky charakteristice odlišná, je tedy závislá parametru UGS. 178 podobná síti charakteristik bipolámího tranzistoru. 178 Síť výstupních charakteristik FET Činí-li UGS (UDS V/1D= 1. Rovněž pomocí těchto charakteristik bezproblémo­ vě počítat. Tou tranzistoru cha­ rakteristika diody báze emitor. Při vysokých napětích kolektor emitor UDSje prů­ běh křivek značně plochý. Napětí je rozdíl mezi napájecím napětím napětím kolektoru, p a-Uo-: 4. C harakteristika pro UGS prochází bodem: mA (označený kroužkem). Od-UDS= V/ID= 11 porjetedy: - 1V ' mA = Q 20 - I Ugs»■0 * - s ř -■v 12- - i S 7 / ¥ ?v r iH h/ ✓ I * - -ÁIV * 0 J Uosiv) Obr.5 2,5 - 0,47 mA 5,3 kň 470 nA" Nejbližší normovaná hodnota řady E12 je: 5,6 kíi V podstatě patří výstupní charakteristice charakteristika vstupní.0 2. Přímkové charakteristiky jsme již poznali: jednalo charakteristiky odporů.Velikost kolektorového proudu nastavena pouze prou­ dem báze: při vyšších proudech báze křivka položená úměrně výše. Příklad: emitorové zapojení podle obr. Tento průsečík leží výšce odpovídající proudu 470 jiA