Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
Tato hodnota nyní dosadí
83
do Ohmová zákona: Rc= 2. Proud IDje nastavován napětím
hradlo emitor UGS.0 2.5 V
I, Ic
Ic zjistí pomocí charakteristiky. základě dia
gramu stanovit odpor dráhy kolektor emitor. Vychází
se tedy napětí UCE svisle směrem nahoru větev charakteristiky (iA.
Rovněž pomocí těchto charakteristik bezproblémo
vě počítat. Od-UDS= V/ID= 11
porjetedy: -
1V
' mA
= Q
20 -
I
Ugs»■0
* -
s
ř
-■v
12- -
i S
7 /
¥
?v
r iH
h/
✓ I
* -
-ÁIV
*
0
J Uosiv)
Obr. 178 podobná
síti charakteristik bipolámího tranzistoru. Přímkové charakteristiky jsme již
poznali: jednalo charakteristiky odporů. Tou tranzistoru cha
rakteristika diody báze emitor. Když jsou přiložena
rozdílná napětí UDS, mění kolektorový proud 1D
jenom nepatrně.5 2,5 -
0,47 mA
5,3 kň
470 nA"
Nejbližší normovaná hodnota řady E12 je: 5,6 kíi
V podstatě patří výstupní charakteristice charakteristika vstupní. Napětí je
rozdíl mezi napájecím napětím napětím kolektoru,
p a-Uo-: 4.
C harakteristika pro UGS prochází bodem:
mA (označený kroužkem). 178 Síť výstupních charakteristik FET
Činí-li UGS (UDS V/1D= 1.
Charateristika FET
Síť výstupních charakteristik tranzistoru FET
(BF 245C) zobrazena obr.5 -2.
Při nízkých UDS FET chová jako nastavitelný
odpor, který měnit napětím hradlo emitor. Hledaný proud leží větvi proudu báze |iA.
Při vysokých napětích kolektor emitor UDSje prů
běh křivek značně plochý.Velikost kolektorového proudu nastavena pouze prou
dem báze: při vyšších proudech báze křivka položená
úměrně výše. identická charakteristikou křemíkové diody tohoto
důvodu většinou zvlášť neuvádí.
Jak velký musí být ?
Rc vypočteme podle Ohmová zákona.
Příklad: emitorové zapojení podle obr.9 mA), pak RDSje: 1V
1,9 mA'
527 íi
. 177 mít
při proudu báze výstupní napětí UCE= V.
Při nižších charakteristiky ohýbají
k nulovému bodu přecházejí více méně str
mých přímek.
Strmost přímek, charakteristická pro hodnotu od
poru charakteristiky charakteristice odlišná,
je tedy závislá parametru UGS. Tento
průsečík leží výšce odpovídající proudu 470 jiA
