Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
0 2. Proud IDje nastavován napětím
hradlo emitor UGS.5 V
I, Ic
Ic zjistí pomocí charakteristiky. identická charakteristikou křemíkové diody tohoto
důvodu většinou zvlášť neuvádí.9 mA), pak RDSje: 1V
1,9 mA'
527 íi
. základě dia
gramu stanovit odpor dráhy kolektor emitor. Od-UDS= V/ID= 11
porjetedy: -
1V
' mA
= Q
20 -
I
Ugs»■0
* -
s
ř
-■v
12- -
i S
7 /
¥
?v
r iH
h/
✓ I
* -
-ÁIV
*
0
J Uosiv)
Obr.5 2,5 -
0,47 mA
5,3 kň
470 nA"
Nejbližší normovaná hodnota řady E12 je: 5,6 kíi
V podstatě patří výstupní charakteristice charakteristika vstupní. Vychází
se tedy napětí UCE svisle směrem nahoru větev charakteristiky (iA. Napětí je
rozdíl mezi napájecím napětím napětím kolektoru,
p a-Uo-: 4.
Při nižších charakteristiky ohýbají
k nulovému bodu přecházejí více méně str
mých přímek.
Jak velký musí být ?
Rc vypočteme podle Ohmová zákona.
C harakteristika pro UGS prochází bodem:
mA (označený kroužkem). Tato hodnota nyní dosadí
83
do Ohmová zákona: Rc= 2.
Charateristika FET
Síť výstupních charakteristik tranzistoru FET
(BF 245C) zobrazena obr.
Strmost přímek, charakteristická pro hodnotu od
poru charakteristiky charakteristice odlišná,
je tedy závislá parametru UGS. 178 Síť výstupních charakteristik FET
Činí-li UGS (UDS V/1D= 1.Velikost kolektorového proudu nastavena pouze prou
dem báze: při vyšších proudech báze křivka položená
úměrně výše. 177 mít
při proudu báze výstupní napětí UCE= V.
Rovněž pomocí těchto charakteristik bezproblémo
vě počítat. Hledaný proud leží větvi proudu báze |iA. Tou tranzistoru cha
rakteristika diody báze emitor.
Při nízkých UDS FET chová jako nastavitelný
odpor, který měnit napětím hradlo emitor.
Při vysokých napětích kolektor emitor UDSje prů
běh křivek značně plochý.
Příklad: emitorové zapojení podle obr. Když jsou přiložena
rozdílná napětí UDS, mění kolektorový proud 1D
jenom nepatrně. Přímkové charakteristiky jsme již
poznali: jednalo charakteristiky odporů.5 -2. 178 podobná
síti charakteristik bipolámího tranzistoru. Tento
průsečík leží výšce odpovídající proudu 470 jiA
