Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
j
vali, závislá připojeném napětí.
Ohmův zákon tvaru =
však napovídá, proud zůstává konstant
ní, když napětí odpor proměňují stejně.
Obr. Nové zapojení tak dispozici
hodnoty napětí UDS mezi nula 6. 151 Napětí kolektoru zužuje kanál
.
Při vysokých hodnotách UDSvšak součas
ně stoupá odpor dráhy kolektor emitor.8 V.
Dodatečné zúžení kanálu odvozuje
od napětí kolektor emitor.
Mezi hradlem kolektorem (Gate Drain) však 8,3 V!
To značí, přechod horní části širší než dolní čás
ti, neboli kanál nahoře užší než dole.
Když nastaví vyšší UDS, zůstává IDkonstantní. Přesto však zůstává zachováno řídící působení napětí hradla:
velikost proudu 1Dje závislá UGS.
Šířka izolující přechodové zóny je, jak jsme již konstato- o.
Pro vysvětlení této vlastnosti musíme ještě jednou zabý- Napětí hradla řídi proud kolektoru
vat strukturou tranzistoru FET.
(Zde vidíte, Ohmův zákon podstatě
přece jenom platí. očividně odporuje Ohmovu zákonu,
FET ztrácí svou vlastnost odporu. ezi hradlem
a emitorem (Gate Source) maximální napětí 1,5 V. Říkáme, FET pracuje aktivní oblasti.
❖ Při vyšším UDSřídí napětí hradla proud kolektoru ID. Hranice mezi oběma oblastmi
se nazývá „napětí bodě ohybu charakteristiky“.)
Proto IDi při vysokém UDSpřece jen ří
zen napětím hradlo emitor, které mění
šířku kanálu jeho dolní části.69
K stávající baterii připojí série další plochá baterie. Čím záporné napětí hradla vyšší, tím nižší ID..
Většinou tranzistory FET provozují aktivní oblasti. Dvěfunkční oblasti
Z tohoto důvodu musí rozlišovat dvě funkční oblasti tranzistoru FET:
❖ Při nízkém UDSse FET chová jako odpor řízený napětím hradla. Při nízkých
hodnotách UDS nehraje žádnou roli
