Elektronika tajemství zbavená (1) Pokusy se stejnosměrným proudem

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 70 z 114

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
(Zde vidíte, Ohmův zákon podstatě přece jenom platí. Čím záporné napětí hradla vyšší, tím nižší ID. Obr.j vali, závislá připojeném napětí. Říkáme, FET pracuje aktivní oblasti. 151 Napětí kolektoru zužuje kanál . Dvěfunkční oblasti Z tohoto důvodu musí rozlišovat dvě funkční oblasti tranzistoru FET: ❖ Při nízkém UDSse FET chová jako odpor řízený napětím hradla. Šířka izolující přechodové zóny je, jak jsme již konstato- o. Když nastaví vyšší UDS, zůstává IDkonstantní. Přesto však zůstává zachováno řídící působení napětí hradla: velikost proudu 1Dje závislá UGS.) Proto IDi při vysokém UDSpřece jen ří­ zen napětím hradlo emitor, které mění šířku kanálu jeho dolní části. Hranice mezi oběma oblastmi se nazývá „napětí bodě ohybu charakteristiky“. Při vysokých hodnotách UDSvšak součas­ ně stoupá odpor dráhy kolektor emitor. Ohmův zákon tvaru = však napovídá, proud zůstává konstant­ ní, když napětí odpor proměňují stejně..69 K stávající baterii připojí série další plochá baterie. Při nízkých hodnotách UDS nehraje žádnou roli. očividně odporuje Ohmovu zákonu, FET ztrácí svou vlastnost odporu. Dodatečné zúžení kanálu odvozuje od napětí kolektor emitor. Pro vysvětlení této vlastnosti musíme ještě jednou zabý- Napětí hradla řídi proud kolektoru vat strukturou tranzistoru FET. Většinou tranzistory FET provozují aktivní oblasti. Mezi hradlem kolektorem (Gate Drain) však 8,3 V! To značí, přechod horní části širší než dolní čás­ ti, neboli kanál nahoře užší než dole. Nové zapojení tak dispozici hodnoty napětí UDS mezi nula 6. ezi hradlem a emitorem (Gate Source) maximální napětí 1,5 V. ❖ Při vyšším UDSřídí napětí hradla proud kolektoru ID.8 V