Tak ako v priebehu historického vývoja, tak aj v dnešnej dobe meranie úzko súvisí
s rozvojom vedy a techniky. Pokrok v technike (nové technológie, nové materiály, elektronika,
mikroelektronika, výpočtová technika) umožňuje zdokonaľovať meranie – meracie prístroje,
meracie metódy a spôsoby spracovania nameraných hodnôt . Dokonalejšie meranie umožňuje
objektívnejšie, presnejšie získavať údaje o objektoch a javoch, čo umožňuje spätne zvyšovať
úroveň techniky a overovať vedecké hypotézy. Rozvoj techniky a vedecký pokrok teda úzko súvisí
s meraním.
Autor: Doc. Ing. Miroslav Mojžiš, CSc
Strana 18 z 71
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Princíp zapojenia obr. Stratový výkon: výkon spotrebovaný tranzistorom pri určitej frekvencii zmien vstupnej
premennej. Vlastnosti vysoký stupeň integrácie, veľmi
malý stratový výkon jeden invertor).
4. TTLS Schottkyho diódami
– majú väčšiu rýchlosť spínania.
7. Typ logiky: kladná UL, záporná UL
3. Statické charakteristiky: vyjadrujú podmienky práce ČIO pri pomalých zmenách vstupných
veličín.
8.18
Na obr. Vlastnosti: veľká rýchlosť, veľká tolerancia napätia
napájacieho zdroja, malá výstupná impedancia. Rozhodovacia úroveň: vstupné napätie, pri ktorom obvod prechádza jedného stavu do
druhého.10 obvod realizujúci logickú funkciu na
všetkých vstupoch bude napätie log.
Predstavuje najnovšiu variantu TTL logiky.
10.
12
L Injection Logic) integrovaná injekčná logika. 2. Podľa typu
vodivosti oblasti kanálu) medzi emitorom kolektorom
rozoznávame PMOS NMOS obvody.
Tranzistory pracujú ako emitorové sledovače. Pásmo napätí prislúchajúce logickej úrovni high) Low)
2. Ich
najdôležitejšie parametre sú:
1.1) bude dostatočné napätie báze tranzistora T1, tranzistor
sa otvorí skratuje zdroj.11
. CMOS obvody
majú tranzistory obidvoma typmi kanálov, sú
najvýhodnejšie extrémne nízka spotreba µW), veľká
rýchlosť (15ns), veľká šumová imunita, široký rozsah napájacieho napätia V),veľký logický
zisk (100 ). Tolerancia napájacieho napätia: podmieňuje technológia výroby . Dynamické parametre: rýchlosť ČIO, čas oneskorenia výstupného signálu vstupným.
9.
Ucc Y
T1
T2
Obr. Rozsah pracovnej teploty.
MOS obvody Metal Oxide Semiconductor )
využíva tranzistory riadené elektrickým poľom . Odolnosť voči rušeniu. 2. Logický zisk: charakterizuje vetviteľnosť ČIO.
Ďalšie technológie vylepšené modifikácie TTL logiky.
Tranzistor PNP) pracuje ako zdroj prúdu (injektor)
pre bázu tranzistorom NPN), ktorý pracuje ako
invertor.
6.
5.
Číslicové obvody ako technické výrobky nemajú ideálne vlastnosti platia pre nich rôzne
obmedzenia tolerančné pásma, ako pre iné elektrické elektronické súčiastky. 2. ECL (Emitor Coupled Logic) emitorovo viazaná logika.11
