|
Kategorie: Učebnice |
Tento dokument chci!
Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Strana 97 z 456
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
<kp
£
©
blokovací
přechod
Vvstřikový
přechod br.Vstřikovací přechody
Předpokládejm nyní, koncentrace elektronů vrstvě bude větší
než koncentrace děr vrstvě tj. 67). Část elektronu přitom nemusí stačit ve
vrstvě rekom binovat projde protilehlé elektrodě. Blokovací přechod
Kdyby naopak byla koncentrace elektronů vrstvě menší než kon
centrace děr vrstvě došlo vstřikování děr vrstvy N. 66. Elektrony nestačí rekorhbmo-
vat rozhraní nebo těsně ním, ale pronikají hluboko vrstvy P. Uspořádáme-li
vrstvy tak, aby obou stran závěrného přechodu byly vstřikovací přecho
dy, dostanem blokovací přechod (obr.
P N
■O'
©»©-
-O-O
■to-£>;£>
©-©-
3-G -e
®-k)-©
i
©-K3-0
rekom binační
pásmo
O br.
Takové přechody nazývají vstřikovací proužívají se, jak uvidíme,
mezi emitorem bází tranzistorech řídicích elektrod tyristorů triaků. střikovací přechod
°=~{
*N2>*P1
© -
vstřikový
přechod
N, P2n----
ku. kv), překryje rekombinační
pásm celou vrstvu (obr. porovnání závěrným
přechodem vlastnost, jsou-li něho každé strany vstřikovány
99
. kv. 67.
Blokovací přechody
Pro-vstřikovací přechody charakteristické, nich dochází vstři
kování inoritních nosičů jedné vrstvy druhé vrstvy.
Rekombinační pásmo posune vrstvy je-li koncentrace elektronu
m nohem větší než koncentrace děr (tj. Tento jev se
nazývá vstřikováni elektronů vrstvy Protože elektrony jsou vrstvě P
m inoritním nosiči, mluvíme vstřikování minoritních nosičů. 66)
