Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 67 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Jeho tři valenční elektrony tvoří elektronové dvojice třemi sousedními atom křem íku. fosfor, arzén, vizmut. K onduktivita polovodičů typu dána počtem nosičů, tj. bór, galium, hliník. akreslete krystalovou řížku krystalu germ ania, němž nejsou žádné přím ěsi 69 . volných děr volných elektronů, objem ové jednotce.3. tom třeba poznam enat, krystal křem íku nave­ nek neutrální jako předtím neboť počet kladně nabitých nepohyblivých donorú vyvážen stejným počtem volně pohybujících elektronů..2. těm nosičům, které určují typ vodivosti) říkám e majoritní nosiče. typu zpravidla nepodaří vnést ateriálu jen příměsi jednoho typu, ale obvykle mřížky krys­ talu vnikne nežádoucí přím opačného typu. Při ustálené teplotě počet rekom binovaných nově vzni­ kajících dvojic stejný. Při přípravě polovodiče typu (popř. Volným děrám vrstvě volným elektronům vrst­ vě říkám minoritní nosiče. Vysvětlete pojmy vlastní vodivost nevlastní vodivost polovodičů. jaké skupiny dělíme tuhé látky podle konduktivity? 2. Přesunu elektronů děr při vyrovnávání koncentrací říkám difúze. V polovodiči neustále dochází spojování volných elektronů děr, tj. Jako donory můžeme použít jiné prvky z skupiny, např. Přím atom trojm ocného prvku mřížkové struktury křem iku vi­ dím obr. 37. y 1. Volným elektronům vrstvě vol­ ným děrám vrstvě (tj. Rozdíl koncentrací volných nosičů elektrického náboje v polovodiči vyrovnává, takže díry elektrony přemísťují míst s větší koncentrací míst menší koncentrací. Cizím atom mřížce atom india. 3. Jeho vodivost ovšem zvětšila. rom ě india ůžem jako akceptor použít jiné prvky, např. Protože atom příměsi zaujím mřížce polohu čtyřm ocného prvku, vy­ půjčuje své čtvrté elektronové vazbě elektron jiného atom Tím ovšem na ístě uvolněného elektronu vzniká díra, která může volně pohybovat. N avenek krystal opět neutrální, obsahuje však kladně nabité nosiče elektrického proudu, tedy elektricky vodivý. Takový krystal vodivost toho typu, jehož příměs převažuje. Polovodič děrovou vo­ divostí nazývám polovodič typu příměs nazýváme akceptor.nazývá donor. 2. rekom binaci. Počet nosičů nazý­ vám koncentrace. Vlivem přijím ané tepelné energie ale stále uvolňují nové dvojice