Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
přídržného proudu tomu, aby tyristor přešel zapnutého
do blokovacího stavu, nutné, aby jeho výstupní proud klesl pod hodnotu tzv.
Na obr. 57.
Předpokládá zde, blokovacím stavu výstupní odpor tyristoru roven
hodnotě zapnutém stavu hodnotě minimální hodnotu výstupního
proudu zapnutém stavu považuje ležící blízkosti vratného přídržného
proudu. Použitím Ebersova Mollová modelu pro
oba tranzistory sloučením nebo vypuštěním některých prvků dospějeme nelineár
nímu dynamickému modelu tyristoru, který obr. obr. 56. Diodový model tyristoru
ó
K
78
.Jelikož rostoucím vstupním proudem hodnota výstupního napětí UB
potřebného zapnutí klesá, tyristor obvykle zapíná vstupním proudem určité
kladné hodnotě IGZ, čemuž pak postačí výstupní napětí UBZ hodnotě podstatně
nižší než UB0. Pro
zvlášť vysoké nároky přesnost modelování, zejména tyristorů pro velmi značné
výkony, nutné tento model doplnit ještě dalšími prvky. 58c jsou vstupní výstupní voltampérové charakteristiky uvedeného
modelu.
K objasnění funkce tyristoru jeho modelování počítači často používá
náhrada tyristoru kombinací dvou bipolárních tranzistorů vzájemnou kladnou
zpětnou vazbou, jak ukazuje obr. Závislost stavu tohoto modelu na
hodnotách vstupních výstupních veličin udává vývojový diagram obr. 57. Má-li tyristor zůstat zapnutém stavu, jeho výstupní proud musí
překročit hodnotu tzv.
vratného proudu přičemž 0.
V praxi však nejčastěji vystačíme modely podstatně jednoduššími. 58a je
po úsecích lineární statický model tyristoru. při vyšetřování rušení způsobeného tyristory).
Uvedený způsob modelování tyristorů účelný pouze tehdy, zajímáme-li se
o detailní průběh jejich odezev (např. minimální hodnotu výstupního napětí potřebnou zapnutí tyristoru se
považuje odpovídající bodu výstupní charakteristice oblasti
A
o
G o
Obr. 58b. Idealizované diody tomto
modelu mají opět exponenciální voltampérovou charakteristiku nelineární kapa-
citory modelují jejich zbytkovou bariérovou difůzní kapacitu. Parametry tohoto
modelu stejně jako tranzistoru nejčastěji identifikují základě měření
