Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Idealizovaná dioda sta
tickým modelem přechodu reálné diody okolí počátku. 40. Uvedený model lze odvodit základě
difúzní teorie chování nosičů náboje polovodičích. Příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody propustném
a nepropustném směru
67
.polovodičové usměrňovače používané silnoproudých zařízeních. Nelineární
dynamický
model
polovodičové
diody
Na obr.45)
a) b)
Obr. proud nasycení diody.
Obr. difúzní teorie vy
plývá, voltampérová charakteristika diody přibližně dána vztahem
i h(e0u 1)
kde Jsje tzv. Zenerovo napětí.44)
(2. Charakteristiku
diody lze rozdělit tři základní oblasti: propustnou oblast pro závěrnou
oblast pro-wz Zenerovu oblast pro uz, kde tzv. příklad náhradního obvodu, představujícího nelineární dyna
mický model plošné polovodičové diody. 39. činitel, pro který platí
q 1
0 =
M U,
[1/V]
(2
