Výkonový zesilovač pro krátkovlnné pásmo s inteligentním snímáním výkonu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této diplomové práce je zkonstruovat funkční vzorek vysokofrekvenčního zesilovače výkonu pro krátkovlnná radioamatérská pásma a změřit jeho základní parametry jako potřebný budící výkon, výstupní výkon, čistotu výstupního spektra a účinnost. Konstrukce je založena na výsledcích simulace chování modelu zesilovače získaných obvodovým simulátorem cadence™ OrCAD 16. Zesilovač by měl být později použit jako koncový stupeň pro malý radioamatérský transceiver.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Petr Zatloukal

Strana 36 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pro tento případ byla hodnota rezistoru nalezena empiricky rezervou 0,47 Ω.1 Lokální driftová záporná zpětná vazba Lokální driftová záporná zpětná vazba slouží udržení tranzistoru nastaveném klidovém pracovním bodu, který tendenci měnit kvůli narůstání proudu drain- source při zvyšování teploty přechodu při konstantním napětí gate-source. Tento jev je markantní pro spodní hodnoty napětí definujícího klidový pracovní bod patrný z typické přenosové charakteristiky tranzistoru obrázku 7. Nárůst teploty přechodu při odvodu ztrátového výkonu závisí výsledném tepelném odporu chladícího systému přechodu převodní charakteristice tranzis- toru. Rezistor pro budící vysokofrekvenční signál blokovaný empiricky nalezenou ka- pacitou kondenzátoru nF.OPTIMALIZACE NÁVRHU REALIZACE ZESILOVAČE 7. Stabilizace funguje prostě. 7. menší než W. 36 . Pokud narůstá tep- lota přechodu, zvyšuje tím proud drain-source, který ale zároveň zvyšuje úbytek napětí rezistoru obvodu source-zem tím klesá napětí gate-source, tranzistor se přivírá hodnota proudu drain-source klesá.1 převzaté [13]. Ztrátový výkon rezistoru byl vypočítán obvodovým simulátorem balíku cadence™ OrCAD 16.1: Typická převodní charakteristika IRF640, převzato [13] Většinou tento problém řeší třeba speciálním integrovaným obvodem snímají- cím teplotu tranzistoru nastavujícím podle velikost napětí gate-source. Obr. Pro tuto konstrukci byl zvolen mnohem jednodušší způsob stabilizace rezistorem umístěným v sérii elektrodou source proti zemi. Jednoduchý princip funkce sebou nese složitý návrh velikosti rezistoru source- zem