Výkonová elektrotechnika v praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik, Peter Lachký, Alexander Végh

Strana 70 z 343

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
21 tyristor schematicky znázornený reze. V praxi najviac používajú spätne závěrné tyristory. Vodivý kanál nie nikdy totožný s celým prierezom platničky tranzistora, — ako všetky poľom riadené tranzistory, výkonové tranzistory M SFET veľmi citlivé prepätie obvode hradia.3 TYRISTORY Tyristor bistabilná polovodičová súčiastka, ktorá tri priechody PN môže prepínať blokovacieho priepustného stavu naopak. Pri veľmi vysokých spínacích frekvenciách doporučuje vylúčiť prípadné oscilá­ cie hradlách tlmiacimi rezistormi. Anódový vývod pripojený vonkajšiu oblasť katódový vývod vonkajšiu oblasť vnútornú oblasť P pripojený vývod hradia Medzi zapojené série tri 72 . 3.pretože tranzistory SFET nemajú tepelnú nestabilitu, možno ich spájať paralelne jednoduchšie ako bipolárne tranzistory. Uvedený typ tyristora rozšírený pod všeobecným názvom tyristor. 3.2. 3.4 Nevýhody tranzistorov MOSFET Medzi nevýhody tranzistorov SFET patrí: — saturačné napätie, ktoré dané súčinom rDSon/ D,je vyššie ako pri bipolárnych tranzistoroch, — výkonové tranzistory SFET majú horšie využitie aktívnej plochy ako bipolárne tranzistory. Pri aplikácii treba prísne dodržiavať bezpečnostné predpisy pre prácu tranzistormi riadenými poľom, — takmer dokonalou izoláciou hradia záťaže vzniká vstupe tranzistora SFET pomerne veľká kapacita, ktorá veľmi dôležitá pri spínacích dejoch, — výhoda inverznej diódy neuskutočňuje pri napätiach nad 500 pretože vnútorné antiparalelné diódy majú vtedy veľmi veľký čas zotavenia tTT. Na obr. Tvoria ho štyri oblasti rozličným typom vodivosti medzi ktorými sú tri priechody (/,, J2, J3)