Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
3.
Pri práci tranzistora rozlišujeme štyri úseky.obr. Uvedený jav vznikne lokálnym zväčše
ním prúdovej hustoty, pri ktorom prúd nosičov medzi vply
vom priečneho elektrického poľa vytláča úzky okraj emitora.
Z vypnutého stavu bode (bez budenia) zapnutého stavu bode
B, prejde tranzistor privedení bázového prúdu Čím väčší je
bázový prúd (pri rovnakej záťažnej priamke), tým nižšie napätie UCEsa
ustáli tranzistore. Pri zjednodušujúcom predpoklade, že
pri zapínaní klesá napätie UCE rastie prúd lineárne, obr.2 Straty pri spínaní výkonového tranzistora
Dovolené straty tranzistora pri impulzovom zaťažovaní určujú
krivkami tepelnej impedancie impulzovom režime výrobcovia ju
určujú konštrukčných katalógoch. 3.
Pri práci bipolárneho tranzistora hrozí zapnutom stave nebezpe
čenstvo „druhého prierazu“ Prejavuje náhlym znížením napätia UCE
pri zväčšení prúdu kolektora. prechodový dej tranzistore, počas ktorého napätie
t/cEvyp (zodpovedá približne UCE0) klesne UCEzap (zodpovedá C/CEsat),
pričom prúd narastá hodnoty /CEvyp(/CE0) /Czap(Ic). Kvalitné výkonové tranzistory majú t/CEsat nižšie ako praho
vé napätie samotnej kremíkovej diódy.5) pohybuje po
priamke miesta späť.1.
3. 3.
Pri spínaní odporovej záťaže pracovný bod {obr. Ďalším úsekom je
čas trvania impulzu (zapnutého stavu) tp, počas ktorého tranzistor
pracuje bode {obr. privedení predpísaného bázového prúdu BMsa
pracovný bod hraničnej priamke tranzistora nastaví bodu B,
pričom tranzistore bude minimálne „saturačné“ napätie UCEsM. Prvý ton, čiže čas
zapínania.5 nakreslená odporová priamka, ktorá spája body B. Stratový výkon
Pon dosahuje špičkovú hodnotu PCM asi strede ton. 3.
54
.5) jeho kolektorové straty PCsat UCEsatIc. Tepel
ne preťažené miesta majú zmenšený odpor, teda zväčšujú prúdovú
hustotu úplného lokálneho zničenia tranzistora, pričom tranzis
tor nemusí byť celkovo prúdovo preťažený.7
znázornené časové priebehy uCE (t), 2(0 3(0- Kolekto
rové straty tranzistora UCEIC (rozhodujúce pre oteplenie).
Saturačné napätie jedným hlavných parametrov výkonového tran
zistora
