Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 66 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
nabíjení kondenzátoru
postupn roste proud cívky relé.
Budi jako aktivní elektronický obvod vyžaduje vlastní, rovn galvanicky odd lený napájecí
zdroj. tento proud ekro hodnotu pot ebnou pro ítah,
spínací kontakt ipojí paraleln kondenzátoru cívce relé malý odpor R2.
Velikost tak malá, aby ustáleném stavu (bez vlivu procházel cívkou relé jen malý
proud relé spolehliv odpadlo.13 Cyklické spínání relé
Relaxa oscilátory nemají vysokou kmito tovou stabilitu. moderních tranzistor COOL-MOS tato
strmost dosáhnout cca 100kV/ s. Jejich výhodou jednoduchost a
možnost ímé realizace výkonové resp. Galvanické odd lení zdroje jednozna ešeno vždy magnetickou cestou -
impulsním transformátorkem.FEKT Vysokého ení technického Brn
relé protékat dostate velký proud pro jeho spolehlivý ítah.
Relé cyklicky spíná vypíná, asový úsek sepnutém stavu velmi krátký srovnání
s úsekem vypnutí.
7 Budi výkonových tranzistor
7. ítahu relé tedy kondenzátor rychle vybíjet es
R2, proud cívkou relé klesá relé tedy velmi brzy odpadne. Rozhraní mezi ízením a
výkonovými obvody totiž díky spínání tranzistor silovém obvodu namáháno
nap ovými pulsy velkou strmostí du/dt.1 Systémové ešení budicího obvodu
Budicí obvod tranzistoru (budi driver) musí generovat ídicí signál pro ídicí elektrodu
výkonového spínacího tranzistoru pot ebnými nap ovými proudovými úrovn mi.
R1
C
R2
Relé
32
UCC
1
Obr. vysokonap ové podob .
. Další
úlohou budi zajistit galvanické odd lení ídicího signálu rozhraní mezi ídicím a
silovým obvodem Galvanické odd lení musí bezpe nostní rezervou vykazovat
dostate nou izola pevnost dále nejmenší parazitní kapacitu.
V ípad takové strmosti ani nejkvalitn jší opto leny stínicí ížkou umíst nou mezi
optickým vysíla ijíma nevyhovují, protože dosahují odolnost proti rušení vlivem
du/dt maximáln 20kV/µs tšinou ješt podstatn mén Proto chto ípadech
používají nejr jší systémy enosem informace jinou než optickou cestou (na
magnetickém principu). 6
