Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Závislost účinnosti fotoelektrického měniče šířce zakázaného pásma Eg
polovodiče: vliv teploty přechodu, vliv ozáření: povrchu Země, prostoru
nad atmosférou
16.
Výsledná účinnost slunečního měniče rovná
V rjorjurisríK
Její maximální hodnota závisí také vlastnostech použitého polovodičového materiálu,
na jeho teplotě, podmínkách ozařování, jak patrné obr.lentní teplota f)[ 1000 celkový počet fotonů příslušný této teplotě odpovídá počtu
fotonů, které při teplotě mají energii Eg.
880
. ohledem činitele pohlcení záření činí tato tloušťka křemíku asi
100 ¡xm, zatímco slitin InP, GaAs, CdS jen asi iim. 903ab. Pro uvedený příklad r\o %.
1. Vrstva musí mít vhodnou tloušťku, aby záření dostalo do
oblasti přechodu.6. 903. MATERIÁLY PRO FOTOELEKTRICKÝ MÉNIČ ENERGIE
Schematické uspořádání fotovoltaického článku, který základním elementem foto
elektrického měniče energie, obr. 902) projevuje tzv. 902. Záření vstupuje straně vrstvy typu která
je opatřena úzkými kontakty. křivkovým fak
torem (činitelem zaplnění) Další spektrální činitel rjs, kterým uvažuje pouze částečné
Obr.
Sériový odpor fotoelektrického měniče (obr.2. 904.0 1,8 2,6
E teVJ
Obr. Vliv velikosti sériového
odporu voltampérovou
charakteristiku
1 4Í1
využití energie dopadajícího záření napěťový činitel »?n rovnající poměru napětí ř/0
k šířce zakázaného pásma, vyjádřené voltech. Těmto tloušťkám současně měly
odpovídat difúzni délky minoritních nosičů příslušných materiálů
